时间：2025/11/3 17:54:39
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CY62256LL-55SNIT 是一款由Infineon Technologies（原Cypress Semiconductor）生产的高性能、低功耗的32K × 8位静态随机存取存储器（SRAM），采用CMOS技术制造，封装形式为小型44引脚SOJ（Small Outline J-leaded Package），适用于需要可靠、快速数据存储的应用场景。该器件具有55纳秒的访问时间，支持高速操作，适合用于工业控制、通信设备、嵌入式系统和消费类电子产品中作为数据缓存或程序存储使用。CY62256LL-55SNIT的工作电压范围为2.7V至3.6V，符合低电压运行标准，有助于降低整体系统功耗。其双向数据总线允许在读写模式下高效传输数据，同时具备片选控制功能，支持多个存储器并联使用以扩展存储容量。该SRAM无需刷新操作，简化了系统设计，并提供稳定的数据保持能力，在断电前可长期保存数据。此外，该芯片具备良好的温度适应性，工作温度范围通常为-40°C至+85°C，满足工业级环境要求。
制造商：Infineon Technologies
系列：CY62256LL
产品类型：SRAM
存储容量：256 Kbit
组织结构：32K × 8
访问时间：55 ns
工作电压：2.7 V ~ 3.6 V
工作电流：典型值为25 mA（最大待机电流为10 μA）
封装：44-SOJ
引脚数：44
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
接口类型：并行
写保护功能：无
刷新模式：无需刷新
封装宽度：0.536"（13.6 mm）
安装方式：表面贴装（SMD）
CY62256LL-55SNIT 具备出色的性能与可靠性，采用先进的CMOS制造工艺，在保证高速访问的同时实现了极低的功耗表现。其55ns的访问时间使其能够满足大多数中高端嵌入式系统对响应速度的要求，尤其适用于实时控制系统中的临时数据存储需求。该器件支持全静态操作，意味着只要供电持续，数据即可无限期保持，且无需动态刷新机制，从而降低了系统复杂性和CPU开销。器件的片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）三重控制逻辑提供了精确的读写时序管理能力，支持与其他外设共用数据总线而不会发生冲突。此外，该SRAM具备自动低功耗待机模式，当片选信号无效时自动进入待机状态，显著减少空闲期间的能耗，这对于电池供电或绿色节能型设备尤为重要。
该芯片的44引脚SOJ封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热稳定性和机械强度，适合自动化贴片生产流程。其宽泛的工作电压范围（2.7V~3.6V）使其兼容多种电源管理系统，包括使用锂电池或LDO稳压器供电的应用。在抗干扰方面，该器件具备较强的噪声抑制能力和稳定的I/O驱动性能，能够在电磁环境复杂的工业现场稳定运行。所有输入端均兼容TTL电平，便于与多种微控制器和处理器直接接口，无需额外电平转换电路。CY62256LL-55SNIT还通过了多项工业级认证，确保在极端温度、湿度和振动条件下仍能维持数据完整性，是高可靠性应用的理想选择。
CY62256LL-55SNIT 广泛应用于各类需要高速、非易失性辅助存储的电子系统中。在工业自动化领域，常被用于PLC控制器、数据采集模块和人机界面设备中作为缓冲存储器，用于暂存传感器数据或操作指令。在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，该SRAM可用于包处理缓存或协议栈临时存储，提升系统响应效率。此外，在医疗仪器、测试测量设备以及POS终端等嵌入式系统中，也广泛采用该芯片来支持实时操作系统或多任务调度所需的内存资源。
消费类电子产品中，例如高端打印机、多功能办公设备和智能家居中枢控制器，也会利用CY62256LL-55SNIT进行图像数据缓存或配置信息存储。由于其工业级温度范围和高可靠性，该器件同样适用于汽车电子系统中的车身控制模块、车载信息娱乐系统或远程诊断单元。此外，在航空航天和军事电子设备中，尽管部分场景可能要求更严苛的等级，但经过筛选后该型号也可用于非关键子系统的数据暂存功能。总之，凡是需要稳定、快速、低功耗静态存储的场合，CY62256LL-55SNIT 都是一个值得信赖的选择。
CY62256N-55ZSXI
AS6C2568-55PCN2
IS62WV2568ABL-55BLI
