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CY62167GN-45ZXIT 发布时间 时间:2025/12/25 23:51:46 查看 阅读:28

CY62167GN-45ZXIT是一款由Infineon Technologies(原Cypress Semiconductor)生产的高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于异步SRAM产品系列,具有低功耗和高性能的特点,适用于需要快速数据存取且对功耗敏感的应用场景。CY62167GN-45ZXIT采用先进的制造工艺,确保在宽温度范围内稳定运行,适合工业级和商业级应用环境。该SRAM的存储容量为1兆位(1Mbit),组织结构为64K x 16位,意味着它包含65,536个地址位置,每个位置可存储16位数据。这种并行接口设计使得数据读写操作非常迅速,特别适用于嵌入式系统、网络设备、通信模块以及其他实时处理需求较高的场合。器件工作电压为3.3V ± 0.3V,兼容低压TTL电平,便于与多种微控制器、DSP处理器及FPGA等主控芯片直接连接而无需额外的电平转换电路。封装形式为48-pin TSOP II(薄型小尺寸封装),有助于节省PCB空间并提升系统集成度。此外,该芯片符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,在现代电子产品中广泛适用。CY62167GN-45ZXIT具备可靠的耐久性和数据保持能力,即使在恶劣环境下也能保证数据完整性。其访问时间为45纳秒,表明该器件能够在高频系统时钟下完成读写操作,满足中高端应用对响应速度的要求。整体而言,这是一款面向高可靠性、中等密度存储需求的通用型异步SRAM解决方案。

参数

型号:CY62167GN-45ZXIT
  制造商:Infineon Technologies
  存储容量:1 Mbit (64K × 16)
  电源电压:3.3V ± 0.3V
  访问时间:45 ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:48-pin TSOP II
  接口类型:并行异步
  输入/输出逻辑电平:LVTTL兼容
  工作模式:全静态操作
  待机电流(最大):20 μA(典型值)
  主动电流(最大):55 mA
  封装尺寸:12 mm × 22 mm × 1.2 mm(近似)
  引脚间距:0.5 mm

特性

CY62167GN-45ZXIT具备多项关键特性,使其成为工业与通信领域中广泛应用的高性能异步SRAM选择。首先,其45纳秒的快速访问时间确保了在高频率总线操作下的高效数据吞吐能力,能够满足大多数实时系统的响应要求。该器件采用全静态内核设计,无需刷新周期即可维持数据稳定,从而简化了系统控制逻辑,并降低了功耗开销。其次,该SRAM支持低待机电流模式(仅为几微安级别),在系统进入休眠或空闲状态时显著减少能量消耗,这对于便携式设备或远程部署的嵌入式系统尤为重要。同时,其主动工作电流也经过优化,在保证性能的同时兼顾能效表现。器件的工作电压为3.3V,兼容主流LVTTL信号电平,可以直接与ARM处理器、PowerPC、DSPs以及各类FPGA进行无缝对接,避免了电平转换带来的复杂性和延迟。此外,CY62167GN-45ZXIT具备出色的抗干扰能力和信号完整性设计,所有控制、地址和数据引脚均经过噪声抑制优化,确保在高频切换环境下仍能可靠运行。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)使该芯片适用于严苛环境下的长期稳定运行,如工业自动化、交通控制系统和户外通信基站等。封装方面,48引脚TSOP II不仅提供了良好的散热性能,还支持表面贴装工艺,便于自动化生产组装。更重要的是,该器件遵循JEDEC标准测试规范,具备高可靠性和长寿命,经过严格的老化和应力测试,确保批量使用中的良品率和一致性。最后,Infineon为该系列产品提供长期供货承诺和技术支持,进一步增强了其在关键任务应用中的可用性。
  

应用

CY62167GN-45ZXIT广泛应用于需要高速、低功耗、中等容量存储的电子系统中。常见应用场景包括网络路由器、交换机和防火墙等通信基础设施设备,其中用于缓存路由表、数据包缓冲和临时协议处理,凭借其快速响应能力有效提升数据转发效率。在工业控制领域,该SRAM常被集成于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)终端和运动控制器中,作为程序运行缓冲区或实时数据采集的中间存储介质。此外,在医疗成像设备、测试测量仪器和雷达信号处理系统中,由于需要短时间内频繁读写大量中间计算数据,CY62167GN-45ZXIT的高稳定性与快速访问特性使其成为理想的暂存单元。消费类高端设备如数字视频录像机(DVR)、IP摄像头和智能显示终端也会采用此类SRAM来增强图像处理流水线的数据吞吐能力。在航空航天与国防电子系统中,尽管部分应用转向更先进的存储技术,但在某些非易失性存储扩展或FPGA协处理架构中,该型号仍因其成熟可靠而被选用。此外,汽车电子中的高级驾驶辅助系统(ADAS)控制模块也可能利用该SRAM进行传感器数据融合前的暂存操作,尤其是在需要功能安全认证的设计中,其确定性的访问延迟和可预测行为显得尤为关键。得益于其工业级温度适应性和抗电磁干扰设计,该芯片在恶劣电磁环境和宽温变化条件下依然表现出色,因此也被用于铁路信号系统、能源监控装置和智能电网终端设备中。总体而言,只要系统对并行接口SRAM有明确需求,且容量在64K×16范围内,CY62167GN-45ZXIT都是一个值得信赖的选择。
  

替代型号

CY62168E-45ZSXI
  IS61WV102416BLL-45BLI
  MT5CJ128A-45LJI

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CY62167GN-45ZXIT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,000 : ¥91.82137卷带(TR)
  • 系列MoBL?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量16Mb
  • 存储器组织2M x 8,1M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页45ns
  • 访问时间45 ns
  • 电压 - 供电4.5V ~ 5.5V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装48-TSOP I