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CY62157ESL-45ZSXIT 发布时间 时间:2025/11/3 17:47:28 查看 阅读:17

CY62157ESL-45ZSXIT是Cypress Semiconductor(现为英飞凌科技Infineon Technologies的一部分)生产的一款高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于超低功耗、高性能的异步SRAM系列,广泛应用于需要快速数据存取和可靠存储性能的嵌入式系统与通信设备中。CY62157ESL-45ZSXIT采用先进的制造工艺,具备良好的抗干扰能力和稳定性,适用于工业级温度范围运行环境。
  CY62157ESL-45ZSXIT封装形式为48-pin TSOP II(薄型小尺寸封装),具有较小的物理尺寸,适合空间受限的应用场景。其主要功能是提供非易失性以外的高速临时数据存储服务,虽然本身不具备掉电保持能力,但因其读写速度快、控制简单、无需刷新等优点,在网络设备、路由器、交换机、工业控制器以及测试测量仪器等领域得到广泛应用。
  该器件兼容标准的SRAM接口协议,支持字节写入(Byte Write)功能,允许对高字节(UB)和低字节(LB)分别进行写操作,提高了系统的灵活性和效率。此外,它还集成了自动省电模式,在未进行访问时可显著降低功耗,从而满足绿色节能设计需求。CY62157ESL-45ZSXIT工作电压为3.3V ± 0.3V,符合现代低电压电子系统的设计趋势,同时保证了与多种逻辑电平系统的良好兼容性。

参数

类型:异步SRAM
  密度:8 Mbit (512K x 16)
  组织结构:512K x 16
  供电电压:3.3V ± 10%
  访问时间:45 ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:48-pin TSOP II
  引脚数量:48
  接口类型:并行
  读取电流最大值:35 mA
  待机电流最大值:5 μA
  写使能信号:WE#
  输出使能信号:OE#
  片选信号:CE1#, CE2
  字节使能:UB#, LB#

特性

CY62157ESL-45ZSXIT具备多项关键特性,使其在众多同类产品中脱颖而出。首先,其45纳秒的快速访问时间确保了高效的数据吞吐能力,适用于对响应速度要求较高的实时处理系统。例如在通信设备中的帧缓冲或高速缓存应用中,这种高速性能能够有效减少延迟,提高整体系统效率。其次,该器件采用了CMOS技术,不仅实现了高速运行,同时也大幅降低了功耗,尤其是在待机状态下,典型待机电流仅为几微安级别,有助于延长便携式设备的电池寿命。
  另一个重要特点是其双片选架构(CE1# 和 CE2),这使得多个存储器可以共享同一总线而不会发生冲突,通过组合不同的片选信号实现灵活的地址译码和系统扩展。这一设计极大地方便了多芯片系统的布局与管理。此外,支持字节控制信号(UB# 和 LB#)意味着用户可以在x16模式下独立地对高8位或低8位数据进行写入操作,增强了数据操作的精确性和系统资源利用率。
  该芯片还具备全静态操作特性,即只要电源维持稳定,就不需要任何时钟或刷新信号来保持数据,简化了系统设计复杂度。所有输入端都兼容TTL电平,便于与多种微处理器、DSP或FPGA直接连接而无需额外的电平转换电路。最后,其工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)确保了在恶劣环境下的长期稳定运行,适用于户外通信基站、工业自动化控制等严苛应用场景。综合来看,CY62157ESL-45ZSXIT是一款兼顾性能、功耗与可靠性的理想选择。

应用

CY62157ESL-45ZSXIT因其高速、低功耗和高可靠性的特点,被广泛应用于多个高科技领域。在通信基础设施中,常用于路由器、交换机和光纤收发模块中的数据缓冲区,用以暂存网络包头信息或配置参数,保障数据传输的连续性和完整性。在工业控制系统中,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、人机界面(HMI)和运动控制器中作为程序缓存或变量存储单元,提升控制响应速度。
  此外,在医疗电子设备如监护仪、成像系统中,CY62157ESL-45ZSXIT可用于图像预处理缓存或临时数据记录,确保关键生命体征数据不丢失且能快速调用。测试与测量仪器,比如示波器、频谱分析仪等,也依赖此类SRAM进行高速采样数据的临时存储,以便后续分析处理。
  在消费类高端电子产品中,尽管目前多数已转向更低功耗或集成化方案,但在某些专业音频设备、数字标牌控制器或工控平板电脑中仍可见其身影。此外,航空航天与国防领域的部分嵌入式系统也会选用该型号,因其具备较高的抗辐射能力和温度适应性,经过筛选后可用于特定军规级应用。总之,凡是需要可靠、快速、并行接口SRAM的场合,CY62157ESL-45ZSXIT都是一个值得信赖的选择。

替代型号

IS62WVS51216BLL-45NLI

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CY62157ESL-45ZSXIT参数

  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列MoBL®
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量8M(512K x 16)
  • 速度45ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.2 V ~ 3.6 V,4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商设备封装44-TSOP II
  • 包装带卷 (TR)