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CY62146ELL-45ZSXA 发布时间 时间:2025/11/4 2:06:53 查看 阅读:11

CY62146ELL-45ZSXA是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的高性能、低功耗CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于高速异步SRAM系列,专为需要快速数据访问和高可靠性的嵌入式系统、通信设备、工业控制以及网络基础设施等应用而设计。其容量为2兆位(256K x 8位或128K x 16位),采用标准的并行接口架构,支持通用微处理器和微控制器的无缝连接。该芯片工作电压为3.3V ± 0.3V,符合现代低电压系统的能效要求,并具备出色的抗噪能力和稳定性,可在严苛的工业温度范围内可靠运行。CY62146ELL-45ZSXA采用先进的制造工艺,确保了数据保持时间长、读写速度快以及在待机模式下的极低功耗表现。此外,该器件封装形式为44引脚SOJ(Small Outline J-lead),便于PCB布局与自动化装配,适用于对空间和散热有较高要求的应用场景。整体而言,这款SRAM芯片结合了高速性、低功耗和高可靠性,是众多实时处理系统中不可或缺的关键存储组件。

参数

型号:CY62146ELL-45ZSXA
  制造商:Infineon Technologies
  类型:异步SRAM
  存储容量:2 Mbit (256K x 8 / 128K x 16)
  供电电压:3.0V ~ 3.6V,典型值3.3V
  访问时间:45ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:44-SOJ
  接口:并行
  组织结构:256K x 8 或 128K x 16
  读写操作:支持字节控制(UB/LB)
  输入/输出逻辑电平:TTL/CMOS 兼容
  待机电流:最大4μA(典型值)
  工作电流:典型值约35mA(最大70mA)
  引脚数:44
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

CY62146ELL-45ZSXA具备多项卓越的技术特性,使其在同类SRAM产品中脱颖而出。首先,其45纳秒的访问时间确保了极快的数据读取速度,适用于需要高频次随机访问内存的实时系统,如路由器缓存、工业PLC控制器和测试测量设备。这种高速性能得益于优化的内部地址解码电路和低延迟信号路径设计,能够在不牺牲稳定性的前提下实现快速响应。
  其次,该芯片采用低功耗CMOS工艺,在主动工作模式下电流消耗仅为35mA左右,而在待机或休眠状态下可降至4μA以下,显著降低了系统的整体能耗,特别适合电池供电或绿色节能型设备使用。同时,其宽温工作范围(-40°C至+85°C)保证了在极端环境条件下的长期可靠运行,满足工业级和电信级应用的标准要求。
  再者,CY62146ELL-45ZSXA支持两种数据宽度配置——256K x 8位和128K x 16位,用户可根据系统总线架构灵活选择,提升了设计兼容性和集成便利性。芯片还集成了上电复位功能和自动低功耗模式切换机制,防止初始化阶段出现数据错误,并在无访问请求时自动进入节能状态。
  此外,其44引脚SOJ封装具有良好的热稳定性和机械强度,支持回流焊和波峰焊等多种焊接工艺,适合高密度PCB布局。所有输入端均内置施密特触发器,增强了抗噪声干扰能力,提高了信号完整性。综上所述,该器件在速度、功耗、可靠性和易用性方面实现了良好平衡,是高端嵌入式系统中理想的静态存储解决方案。

应用

CY62146ELL-45ZSXA广泛应用于对数据存取速度和系统稳定性有严格要求的各类电子系统中。在通信领域,它常被用于网络交换机、路由器和基站设备中的数据缓冲区,以支持高速包处理和临时信息存储;在工业自动化方面,该芯片可用于可编程逻辑控制器(PLC)、人机界面(HMI)和运动控制系统,作为程序变量和实时I/O状态的暂存介质;在测试与测量仪器中,例如示波器、频谱分析仪等,该SRAM用于采集瞬态信号的高速缓存,保障数据不丢失且可快速调用。
  此外,在医疗电子设备中,如便携式监护仪和成像系统,CY62146ELL-45ZSXA因其高可靠性与低功耗特性而被选作关键子系统的本地内存;在军事与航空航天应用中,尽管需额外筛选等级,但其基础设计也具备一定的抗辐射和耐久性潜力,可用于非宇航级但环境严苛的控制系统。
  消费类高端设备如数字视频录像机(DVR)、智能电视主控板也可能采用此类SRAM来提升图形处理和多任务执行效率。由于其并行接口兼容性强,能够直接连接多种主流微处理器和DSP芯片,因此在需要扩展外部内存的嵌入式主板设计中也非常常见。总体来看,凡是要求快速响应、持续读写和长期稳定运行的应用场景,都是该器件的理想用武之地。

替代型号

AS6C2568-45BIN2

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CY62146ELL-45ZSXA参数

  • 数据列表CY62146E
  • 标准包装135
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列MoBL®
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量4M (256K x 16)
  • 速度45ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商设备封装44-TSOP II
  • 包装管件