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CY62138FV30LL-45ZAXA 发布时间 时间:2025/11/3 13:45:01 查看 阅读:11

CY62138FV30LL-45ZAXA是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于其高性能SRAM产品线的一部分,专为需要快速访问和可靠数据存储的应用而设计。这款SRAM采用先进的制造工艺,具有低功耗、高稳定性和优异的抗干扰能力,适用于工业控制、网络通信设备、医疗仪器以及嵌入式系统等多种领域。CY62138FV30LL-45ZAXA提供3.3V的工作电压,符合现代电子系统的电源管理要求,在保证性能的同时降低了整体能耗。其封装形式为小型化且便于散热的TSOP II(Thin Small Outline Package),适合在空间受限的PCB布局中使用。此外,该器件支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保在恶劣环境条件下仍能保持稳定的运行表现。
  该SRAM的组织结构为8Mbit(512K × 16位),即拥有524,288个地址单元,每个单元可存储16位数据,总容量约为1兆字节。这种并行接口架构允许微处理器或DSP等主控单元以极快的速度进行读写操作,典型访问时间仅为45纳秒,满足对实时性要求较高的应用场景需求。内部电路经过优化设计,具备自动低功耗模式,在未进行数据传输时可有效减少静态电流消耗,从而延长电池供电设备的续航时间。同时,该芯片还集成了输出使能和写使能控制信号,支持多种时序配置,兼容广泛的标准逻辑电平协议。

参数

型号:CY62138FV30LL-45ZAXA
  制造商:Infineon Technologies
  产品类别:SRAM
  存储容量:8 Mbit
  组织方式:512K × 16
  工作电压:3.0V ~ 3.6V
  最大访问时间:45 ns
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:TSOP-54
  接口类型:并行
  数据总线宽度:16 bit
  读/写操作:支持异步读写
  电源电流(最大):约 35 mA(工作状态)
  待机电流(最大):约 5 μA

特性

CY62138FV30LL-45ZAXA具备多项关键特性,使其成为高性能嵌入式系统中的理想选择。首先,其45ns的快速存取时间确保了数据能够在极短时间内完成读取或写入操作,这对于需要频繁与内存交互的处理器架构至关重要,例如在网络交换机的数据缓冲、图像处理缓存或实时控制系统中,能够显著提升系统响应速度和整体效率。其次,该器件采用低电压CMOS技术,在3.3V供电下运行,不仅降低了功耗,也减少了热损耗,提高了长期运行的稳定性,并有助于实现绿色节能的设计目标。此外,它支持CMOS和TTL电平兼容输入,增强了与其他数字逻辑器件的互操作性,简化了系统集成过程。
  该SRAM内置了高级功率管理模式,包括自动进入低功耗待机状态的功能。当芯片检测到没有有效的片选(CE)信号激活时,会自动切换至待机模式,将电流消耗降至微安级别,这对便携式设备或远程监控终端尤为重要。同时,其输出三态控制功能允许多个存储器共享同一数据总线,避免总线冲突,提升了系统的扩展能力和灵活性。器件还具备出色的抗噪性能和ESD(静电放电)保护机制,能够在复杂电磁环境中可靠运行,防止因瞬态干扰导致的数据错误或硬件损坏。封装方面,TSOP-54是一种成熟且易于焊接的表面贴装封装,支持自动化生产流程,提高组装良率。最后,该芯片通过了严格的工业级认证,可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作,适应各种严苛应用环境,如户外通信基站、车载电子或工厂自动化控制器等场景。这些综合优势使得CY62138FV30LL-45ZAXA在可靠性、性能与功耗之间实现了良好平衡,是高端工业与通信设备中不可或缺的核心存储组件。

应用

CY62138FV30LL-45ZAXA广泛应用于需要高速、可靠数据存储的各种电子系统中。在通信设备领域,它常被用于路由器、交换机和基站模块中作为数据缓存,用以临时存放正在转发的数据包或配置信息,确保信息传输的流畅性和低延迟。在工业自动化系统中,该SRAM可用于PLC(可编程逻辑控制器)、人机界面(HMI)及运动控制卡中,用于暂存程序变量、I/O状态或实时采集的数据,保障控制指令的及时执行。此外,在医疗电子设备如监护仪、超声成像系统中,该芯片可作为图像帧缓存或信号预处理缓冲区,提升数据处理效率与系统响应速度。
  在消费类高端电子产品中,如数字视频设备、打印机主控板或游戏机主板,CY62138FV30LL-45ZAXA也可发挥重要作用,尤其是在需要并行接口高速访问的场合。由于其具备工业级温度耐受能力,因此同样适用于车载电子系统,例如车载导航、ADAS(高级驾驶辅助系统)控制器或车载通信模块,能够在发动机舱附近或极端气候条件下稳定运行。另外,在测试与测量仪器中,如示波器、频谱分析仪等,该SRAM可用于高速采样数据的临时存储,配合FPGA或DSP进行后续处理。得益于其低功耗特性和三态输出设计,该器件也适合构建多存储体并行架构的大型嵌入式系统,满足对存储带宽和扩展性的双重需求。总之,凡是要求快速、稳定、低功耗且具备良好环境适应性的应用场景,都是CY62138FV30LL-45ZAXA的理想用武之地。

替代型号

IS62WVS51216BLL-45NLI

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CY62138FV30LL-45ZAXA参数

  • 数据列表CY62138FV30 MoBL
  • 标准包装234
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列MoBL®
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量2M (256K x 8)
  • 速度45ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.2 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳32-TFSOP(0.465",11.8mm 宽)
  • 供应商设备封装32-sTSOP
  • 包装托盘