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CY62138FV30LL-45SXI 发布时间 时间:2025/11/3 14:16:23 查看 阅读:19

CY62138FV30LL-45SXI 是由 Infineon Technologies(英飞凌)生产的一款高速 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于 Cypress(现为 Infineon 的一部分)的 CySRAM 系列产品线,专为需要高性能、低功耗和高可靠性的嵌入式系统和通信设备设计。CY62138FV30LL-45SXI 提供 512 K × 36 位的组织结构,总存储容量为 18 Mbit(即 2.25 MB),采用 100 引脚 TQFP(薄型四方扁平封装)并具备多种电源管理功能,适用于工业控制、网络设备、路由器、交换机以及高端消费类电子产品。
  该 SRAM 支持 3.3V 单电源供电,并具有 TTL/CMOS 兼容的输入输出电平,确保与广泛的数字逻辑电路无缝接口。其快速访问时间低至 45 ns,使得数据读写操作极为高效,适合用于缓存、帧缓冲或实时数据处理等对延迟敏感的应用场景。此外,该器件具备自动低功耗模式,在片选无效时自动进入待机状态,显著降低静态电流消耗,从而提升整体能效。
  CY62138FV30LL-45SXI 还集成了先进的抗干扰设计和 ESD 保护机制,能够在恶劣的电磁环境中稳定运行,符合工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)的工作要求。封装形式紧凑,便于在空间受限的 PCB 设计中布局,同时支持表面贴装工艺,适用于自动化批量生产。作为一款高性能异步 SRAM,它在替代传统 DRAM 或低速 RAM 方案方面表现出色,尤其适用于需要持续高速数据吞吐且不允许刷新开销的系统架构。

参数

制造商:Infineon Technologies
  系列:CySRAM
  产品类型:SRAM
  存储容量:18 Mbit
  位宽:36 位
  组织结构:512K × 36
  供电电压:3.3V ± 0.3V
  访问时间:45 ns
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:100-TQFP (14x20)
  引脚数:100
  接口类型:并行异步
  待机电流:最大 4 mA
  工作电流:典型值 120 mA
  输入/输出电平:TTL/CMOS 兼容
  刷新要求:无需刷新
  存取模式:异步读写
  封装宽度:14 mm
  包装方式:卷带(Tape and Reel)

特性

CY62138FV30LL-45SXI 具备多项关键特性,使其在高性能静态存储器市场中脱颖而出。首先,其 45 ns 的极短访问时间确保了极高的数据吞吐率,能够满足实时系统中对低延迟存储访问的需求,例如在通信设备中的包缓冲、视频处理系统的帧缓存或工业控制器中的高速数据采集任务。这种快速响应能力得益于优化的内部地址解码架构和低阻抗输出驱动设计,减少了信号传播延迟。
  其次,该器件采用 CMOS 工艺制造,结合了高集成度与低功耗优势。在待机模式下,通过使能片选(CE)信号控制,芯片可自动进入低功耗状态,典型待机电流仅为几毫安,有效延长了电池供电设备的续航时间。同时,其全静态设计无需时钟或刷新操作,简化了系统设计复杂性,避免了动态 RAM 常见的刷新中断问题。
  再者,CY62138FV30LL-45SXI 支持全字宽 36 位数据并行传输,适用于需要高带宽数据流处理的应用,如数字信号处理器(DSP)协处理器缓存、FPGA 外部内存扩展或图像处理模块的数据暂存区。36 位宽度还可用于实现 ECC(错误校验与纠正)功能,提高系统可靠性,特别适合航空航天、医疗设备等对数据完整性要求严苛的领域。
  此外,该芯片具备出色的噪声抑制能力和高抗干扰性能,所有输入端均内置施密特触发器和滤波电路,防止因信号抖动引起的误触发。输出端支持三态控制,允许多个存储器共享同一数据总线,提升了系统扩展灵活性。其 100-TQFP 封装不仅热稳定性良好,而且引脚间距适中,便于 PCB 布局和回流焊工艺实施。
  最后,该器件符合 RoHS 指令要求,无铅且绿色环保,适用于全球范围内的工业标准认证产品开发。Infineon 提供完整的数据手册、应用指南和技术支持资源,帮助工程师快速完成系统集成与调试。

应用

CY62138FV30LL-45SXI 广泛应用于多个高要求的技术领域。在通信基础设施中,常被用作路由器、交换机和基站设备中的高速数据缓冲器,用于临时存储数据包或信令信息,以应对突发流量并保证服务质量(QoS)。由于其低延迟特性,非常适合用于 ATM 交换、MPLS 转发引擎或网络处理器的本地内存扩展。
  在工业自动化领域,该 SRAM 可作为 PLC(可编程逻辑控制器)、CNC 数控系统或机器视觉控制器的核心缓存单元,用于快速读取传感器数据、执行中间计算结果暂存或指令预取,从而提升控制精度和响应速度。其宽温工作能力确保在极端环境下仍能保持稳定运行。
  在高端消费电子中,该芯片可用于高清视频编解码器、数字电视、投影仪等设备中作为帧缓冲存储器,支持高分辨率图像的实时渲染与显示切换。36 位宽的数据通道也便于对接 GPU 或 FPGA 架构,实现高效的图形流水线处理。
  此外,在测试与测量仪器、雷达系统、军事通信设备等领域,CY62138FV30LL-45SXI 因其高可靠性和抗辐射设计,常被选为关键子系统的数据暂存介质。其无需刷新的特性也使其适用于长时间连续运行的监控系统或数据记录仪,避免因内存刷新导致的数据丢失风险。
  对于使用 DSP 或 FPGA 的嵌入式系统开发者而言,该 SRAM 是理想的外部扩展内存解决方案,尤其适合 Xilinx、Intel(原 Altera)等主流 FPGA 平台进行大容量、高速数据交换的设计需求。

替代型号

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CY62138FV30LL-45SXI参数

  • 数据列表CY62138FV30 MoBL
  • 标准包装25
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列MoBL®
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量2M (256K x 8)
  • 速度45ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.2 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳32-SOIC(0.455",11.30mm 宽)
  • 供应商设备封装32-SOIC
  • 包装管件