时间：2025/11/3 18:03:09
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CY62136EV30LL-45BVXIT是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于超低功耗、高性能的异步SRAM系列，专为需要快速数据访问和高可靠性的嵌入式系统设计。其容量为2 Mbit（256K x 8位或128K x 16位），采用标准的并行接口架构，支持多种工作模式以优化功耗与性能之间的平衡。这款SRAM广泛应用于工业控制、网络通信设备、医疗仪器以及汽车电子等领域。
CY62136EV30LL-45BVXIT的工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于3.3V电源系统的主流应用环境。其封装形式为48-pin TFBGA（Thin Fine-Pitch Ball Grid Array），具有紧凑的尺寸和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。器件符合RoHS环保标准，并具备出色的抗干扰能力和温度稳定性，可在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内稳定运行。
该SRAM支持全静态操作，无需刷新周期，简化了系统设计。此外，它集成了先进的片上电路来降低待机功耗，在电池供电或对能效要求较高的应用场景中表现出色。CY62136EV30LL-45BVXIT还具备数据保持电压模式，可在主电源关闭时通过备用电源维持数据完整性，是需要非易失性数据保存功能的理想选择之一。
制造商：Infineon Technologies
产品系列：CY62136EV30
存储容量：2 Mbit
组织结构：256K x 8 / 128K x 16
供电电压：2.7V ~ 3.6V
访问时间：45 ns
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：48-TFBGA
引脚数量：48
接口类型：并行异步
最大读取电流：25 mA
待机电流（CMOS）：< 10 μA
数据保持电压：最小1.5V
I/O电压兼容性：3.3V/2.5V/1.8V逻辑电平兼容
CY62136EV30LL-45BVXIT具备多项关键特性，使其在众多SRAM产品中脱颖而出。首先，其45ns的快速访问时间确保了在高速数据处理任务中的卓越响应能力，满足实时控制系统和通信缓冲等应用的需求。这种速度结合全静态异步设计，允许系统在不使用时钟信号的情况下直接进行地址和数据传输，极大地简化了接口逻辑。
其次，该器件采用先进的低功耗CMOS工艺制造，显著降低了动态和静态功耗。在待机模式下，典型电流小于10μA，有助于延长电池寿命，特别适用于便携式设备或远程监控终端。同时，其内置的数据保持模式支持在VDD降至1.5V以下时切换到备用电源，从而实现关键数据的长期保存而无需额外的非易失性存储器。
再者，CY62136EV30LL-45BVXIT提供灵活的组织方式，用户可以选择256K x 8位或128K x 16位两种配置，适应不同的总线宽度需求。这使得它可以无缝集成到8位或16位微处理器/微控制器系统中，提升系统兼容性和设计自由度。
此外，该SRAM具有高可靠性设计，包括抗辐射、抗噪声和宽温域稳定性，能够在恶劣工业环境中持续运行。其TFBGA封装不仅节省空间，还提升了热传导效率，增强了长期工作的稳定性。最后，器件完全符合工业标准JEDEC规范，支持商业和工业级应用互换，便于供应链管理和批量采购。
CY62136EV30LL-45BVXIT广泛应用于多个对性能和可靠性要求较高的领域。在工业自动化系统中，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和运动控制器的数据缓存与临时存储，保障实时任务的高效执行。在网络通信设备如路由器、交换机和基站模块中，该SRAM作为包缓冲区或协议处理中间存储，提升数据吞吐量和响应速度。
在医疗电子方面，该芯片可用于病人监护仪、成像设备和便携式诊断装置中，用于暂存采集的生理信号或图像帧数据，确保信息不丢失且处理及时。汽车电子领域也广泛应用此器件，例如车载信息娱乐系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）传感器融合单元以及车身控制模块，利用其宽温特性和高稳定性应对复杂车载环境。
此外，它也被用于测试测量仪器、POS终端、智能电表和无人机飞行控制系统等嵌入式平台，作为主处理器的外部内存扩展，解决内部RAM不足的问题。由于其低功耗特性，尤其适合由电池供电或绿色节能要求高的设备。其并行接口设计兼容多种传统MCU和MPU，使老式系统升级更加便捷。总的来说，凡是需要快速、可靠、低功耗随机访问存储的应用场景，都是该器件的理想用武之地。
IS61WV25616BLL-45BLI
