制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：CY62136EV30
　　类型：SRAM
　　存储容量：2 Mbit
　　组织结构：256K × 8 / 128K × 16
　　接口类型：并行异步
　　供电电压：2.7V ~ 3.6V
　　最大访问时间：45ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装/外壳：56-TFBGA
　　引脚数：56
　　数据总线宽度：8/16 位可配置
　　待机电流（典型值）：2μA（最大）
　　工作电流（读取模式）：约 35mA（典型值）
　　字节控制：支持 UB/LB 控制信号
　　封装高度：薄型封装，适用于紧凑布局

CY62136EV30LL-45BVXI 具备多项先进特性，使其在同类 SRAM 器件中表现出色。首先，其高速访问能力是核心优势之一，最大访问时间为 45ns，能够在处理器频繁读写操作的系统中提供快速响应，确保数据吞吐效率。这对于网络交换机、路由器缓存、工业控制器等对实时性要求较高的应用至关重要。其次，该芯片采用 CMOS 工艺制造，具备出色的功耗管理能力。在正常工作模式下，动态电流较低；而在待机或非活动状态下，通过片选信号（CE）的控制，芯片自动进入低功耗模式，待机电流可低至 2μA，极大地减少了不必要的能源浪费，特别适用于便携式设备或远程监控系统。
　　该器件支持两种数据宽度配置：256K × 8 和 128K × 16，用户可根据系统总线架构灵活选择，增强了与不同微处理器或 DSP 的兼容性。同时，它提供了独立的高位字节使能（UB）和低位字节使能（LB）信号，允许在 16 位模式下单独访问高字节或低字节，避免了全字写入带来的资源浪费，提升了数据处理的精确性和效率。这种灵活性对于嵌入式系统中的寄存器映射 I/O 或混合数据类型的存储非常有用。
　　CY62136EV30LL-45BVXI 还具备高可靠性与稳定性，工作温度范围覆盖 -40°C 至 +85°C，可在恶劣工业环境中稳定运行。其抗干扰能力强，输出驱动能力适中，兼容 TTL/CMOS 电平标准，便于与其他逻辑电路连接。此外，该器件无内部刷新机制，不像 DRAM 那样需要周期性刷新操作，因此不存在刷新延迟问题，简化了系统设计并提高了整体可靠性。56-TFBGA 封装不仅节省空间，还具备良好的热传导性能，有助于热量散发，提升长期运行的稳定性。所有这些特性共同构成了一个高效、可靠、节能的存储解决方案。

CY62136EV30LL-45BVXI 广泛应用于需要高性能、低功耗和高可靠性的电子系统中。在通信领域，常用于网络设备如路由器、交换机和基站中的数据缓冲区，作为临时存储单元来暂存待转发的数据包，利用其快速读写能力提升数据处理速度。在工业自动化控制系统中，该芯片可用于 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）以及运动控制卡中，作为程序变量存储或高速数据采集的缓存介质。其宽温特性和抗干扰能力确保在工厂复杂电磁环境下仍能稳定运行。
　　在消费类高端电子产品中，例如数字视频录像机（DVR）、多媒体播放器和智能显示终端，该 SRAM 可用于图形帧缓冲或音频数据缓存，保障流畅的用户体验。医疗电子设备中也常见其身影，如便携式监护仪、超声成像前端模块等，用于临时存储传感器采集的生理信号，要求存储器具备高可靠性和低噪声特性，而 CY62136EV30LL-45BVXI 正好满足这些需求。
　　此外，在测试与测量仪器、雷达信号处理单元、航空航天电子系统等高端应用场景中，由于其无需刷新、响应迅速且数据保持准确的优点，被用作关键路径上的高速暂存器。对于使用 FPGA 或 DSP 构建的定制化系统，该芯片常作为外部扩展 RAM 使用，弥补主处理器片内存储资源不足的问题，提升系统整体性能。总之，凡是需要快速、稳定、非易失性无关但高速访问的静态存储场合，CY62136EV30LL-45BVXI 都是一个理想的选择。

CY62148EV30LL-45BVI
　　CY621556EV30LL-45BVI
　　IS62WV25616EDBI-45BLI
　　XM28V25616ALL-45TB