类型：CMOS SRAM
　　密度：128 Kbit (16K x 8)
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　访问时间：45 ns
　　工作电流：典型值 18 mA（f = 1 MHz）
　　待机电流：最大 2 μA（CMOS 待机模式）
　　封装：32-pin SOIC (SOJ)
　　温度范围：工业级 -40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行异步
　　写保护功能：无
　　组织结构：16,384 × 8 位
　　数据保持电压：最小 2.0 V
　　输出驱动能力：LVTTL 兼容

CY62128ELL-45SXA 采用高性能 CMOS 技术，实现了高速与低功耗之间的优异平衡。其最大访问时间为 45 纳秒，能够满足对实时性要求较高的应用需求，例如高速缓存、数据缓冲区或临时存储区域。该器件支持全静态操作，无需刷新周期，简化了系统设计并提高了可靠性。在读写操作方面，CY62128ELL-45SXA 提供标准的地址、数据和控制信号接口，包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），兼容大多数微控制器和处理器的 SRAM 接口逻辑，便于系统集成。
　　该芯片具备自动低功耗待机功能，当片选信号 CE 处于高电平时，器件自动进入待机模式，此时的待机电流可低至 2μA，极大延长了电池供电设备的续航时间。这种智能电源管理机制使其非常适合用于便携式仪器、远程传感器节点和其他注重能效的系统中。同时，其工作电压范围为 2.7V 至 3.6V，允许在多种电源条件下稳定运行，增强了系统的适应性和灵活性。
　　在可靠性方面，CY62128ELL-45SXA 经过严格测试，能够在 -40°C 到 +85°C 的工业温度范围内正常工作，具备良好的抗噪声能力和 ESD 保护性能，确保在复杂电磁环境中依然保持数据完整性。其 SOIC 封装不仅提供了足够的引脚间距以方便焊接和维修，也具备较好的散热性能，有助于维持长期运行的稳定性。此外，该器件无铅、符合 RoHS 指令要求，支持绿色环保制造流程。
　　值得一提的是，CY62128ELL-45SXA 不依赖外部时钟，所有操作均由地址和控制线同步触发，避免了时序失配问题。其 LVTTL 输出电平兼容主流逻辑器件，可直接连接 FPGA、DSP 或 MCU 而无需额外电平转换电路，进一步降低了系统复杂度和成本。总体而言，CY62128ELL-45SXA 凭借其高速、低功耗、高可靠性和易用性，成为许多嵌入式系统设计师的理想选择。

CY62128ELL-45SXA 广泛应用于需要中等容量、高速访问且低功耗的静态存储场景。常见用途包括工业自动化控制系统中的实时数据缓存，如 PLC（可编程逻辑控制器）和 HMI（人机界面）设备，用于暂存运行参数和状态信息。在网络通信领域，它常被用作路由器、交换机或网关设备中的帧缓冲存储器，支持快速数据包处理和转发。此外，在测试测量仪器和医疗设备中，该芯片可用于存储采集到的原始数据或中间计算结果，保障数据不丢失且响应迅速。
　　在消费类电子产品中，CY62128ELL-45SXA 可用于打印机、扫描仪、POS 终端等设备的图像或文档缓冲区管理。对于嵌入式系统开发者来说，它是许多基于 ARM、MIPS 或 8051 架构微控制器的理想外扩 RAM 解决方案，尤其适用于内部 RAM 不足但需要提升多任务处理能力的场合。汽车电子中的仪表盘显示模块、车载信息娱乐系统（IVI）以及 ADAS 辅助系统也可能采用此类 SRAM 来增强系统响应速度。
　　由于其宽温特性和高可靠性，该器件也适用于户外设备，如智能电表、安防监控摄像头和无线基站模块。在航空航天和军事电子系统中，尽管有更严苛的等级要求，但在非宇航级项目中仍可能选用 CY62128ELL-45SXA 作为通用 SRAM 使用。此外，研发人员在进行原型开发或 FPGA 协处理器设计时，也常利用该芯片构建独立的数据存储单元，以验证系统架构的可行性。总之，凡是需要稳定、快速、非易失性无关（即不需要持续刷新）的随机读写存储的应用，都是 CY62128ELL-45SXA 的适用领域。

CY62128EL-45ZSXI
　　CY62128EVLL-45B/SXAI
　　IS62WV128-45BLI
　　AS6C1264-45BIN2