容量：256 Kbit (32K × 8)
　　电压：+5V 单电源
　　访问时间：70 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：28-pin DIP (Ceramic DIP with Window)
　　编程电压：VPP = +12.5V 或 +21V（依版本而定）
　　封装材质：陶瓷带窗口 DIP
　　封装代码：W
　　器件类型：EPROM
　　组织结构：32,768 字节 × 8 位
　　输入/输出逻辑电平：TTL 兼容
　　待机电流：最大 100 μA
　　工作电流：典型值 40 mA
　　紫外线擦除时间：约 20 分钟（在强紫外线光源下）
　　数据保持时间：典型值大于 20 年

CY27C256-70WI 采用高性能 CMOS 工艺制造，具备优异的速度与功耗平衡能力，其 70ns 的存取时间使其能够满足大多数中高速微处理器系统的总线时序需求，特别适用于 8 位和 16 位嵌入式控制器架构中的固件存储任务。
　　该器件支持标准的 +5V 电源供电，无需额外的负压或高压电源管理电路，简化了系统设计复杂度，同时其输入引脚完全兼容 TTL 电平，可直接与常见的微处理器、微控制器和逻辑电路接口连接，降低了信号转换带来的延迟与风险。
　　芯片内部集成了芯片使能（CE）和输出使能（OE）双重控制机制，允许系统在多存储体配置中灵活选择目标器件，并有效减少总线竞争问题；当器件未被选中时，自动进入低功耗待机模式，静态电流低至 100μA 以下，显著延长电池供电系统的续航时间。
　　作为一款紫外线擦除型 EPROM，CY27C256-70WI 配备透明石英窗口，允许用户通过专用紫外线灯对芯片内容进行物理擦除后重新编程，这一特性使其非常适合研发阶段频繁修改固件的调试环境，同时也提供了硬件级别的写保护机制——只需贴上不透光胶带即可防止意外改写。
　　该器件可在工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）内稳定运行，具备良好的热稳定性和抗噪声干扰能力，适合部署于高温、高湿或电磁环境复杂的工业控制系统、通信设备及军事电子装置中。
　　Cypress 对该系列器件实施严格的质量控制流程，保证每颗芯片都具有高良率和长寿命表现，数据保留时间超过 20 年，即使在断电状态下也能长期保存关键程序代码，是可靠性要求极高的应用场景的理想选择。

CY27C256-70WI 广泛应用于各类需要非易失性程序存储的嵌入式系统中，尤其是在研发、教学和工业控制领域具有重要地位。
　　在原型开发和实验室环境中，由于其支持紫外线擦除和重复编程，常被用于单片机（如 8051、Z80、68HC11 等）系统的固件调试，工程师可以反复烧录和验证代码，加快产品开发周期。
　　在工业自动化设备中，该芯片用于存储 PLC（可编程逻辑控制器）的启动引导程序、HMI（人机界面）的显示字库或固定算法模块，因其数据不易丢失且抗干扰能力强，能够在恶劣环境下长期稳定运行。
　　通信基础设施如调制解调器、交换机和路由器的早期设计中也常见该型号的身影，用于存放初始化配置和底层驱动代码。
　　此外，在航空航天、仪器仪表、医疗设备等对数据完整性要求极高的领域，CY27C256-70WI 凭借其长达 20 年以上的数据保持能力和物理级写保护特性，仍被视为一种值得信赖的存储解决方案。
　　教育机构也将其作为教学工具，帮助学生理解存储器的工作原理、地址译码机制以及编程烧录过程，是电子工程类课程的重要实践元件之一。

AT27C256R-70TI
　　M27C256B-70F6
　　SST39SF040-70-4I-PHE