CY2148-45DMB是Cypress Semiconductor(现为Infineon Technologies的一部分)推出的一款非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)。这款芯片结合了高性能的SRAM和非易失性存储技术,能够在断电时保存数据。其设计旨在满足工业、医疗和通信领域对高可靠性数据存储的需求。
CY2148-45DMB具有快速写入速度、无限次读/写周期以及低功耗的特点,使其非常适合需要频繁数据更新的应用场景。
存储容量:512Kb (64K x 8)
工作电压:1.7V至3.6V
接口类型:SPI
数据保留时间:超过10年
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSSOP-8
访问速度:最高可达50MHz
CY2148-45DMB的主要特性包括:
1. 非易失性数据存储功能,能够确保在断电情况下数据不丢失。
2. 支持无限次读/写周期,相比传统闪存更具耐用性。
3. 集成了一个微小型电池或超级电容接口,用于支持突发性断电保护。
4. 内置硬件写保护机制,防止意外的数据覆盖。
5. 支持多种模式操作,例如标准模式、低功耗模式和高速模式。
6. 提供全面的错误检测与校正(ECC)功能,增强数据完整性。
7. 兼容标准SPI协议,易于集成到现有系统中。
CY2148-45DMB适用于各种需要高性能数据存储和非易失性保护的场合,具体应用领域包括:
1. 工业自动化设备中的数据日志记录。
2. 医疗设备中的关键参数存储。
3. 通信基础设施中的配置文件备份。
4. 汽车电子系统中的实时数据采集。
5. 物联网(IoT)设备中的历史数据存储。
6. 数据采集模块中的暂存缓冲区。
此外,它也广泛用于嵌入式系统和其他对数据可靠性和速度要求较高的场景。
CY14B104Q, CY14B105Q