时间：2025/7/22 9:01:03
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CY14V104NA-BA25XIT 是 Cypress（赛普拉斯）公司推出的一款非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）芯片。该芯片结合了SRAM的高速性能和非易失性存储技术，能够在断电情况下保留数据，无需外部电池支持。CY14V104NA-BA25XIT 采用先进的铁电存储器（FRAM）技术，提供高速读写、无限次写入寿命以及低功耗特性，适用于需要高可靠性和数据持久性的应用场合。
容量：1Mbit（128K x 8）
访问时间：25ns
工作电压：2.7V 至 3.6V
封装类型：44-TSOP
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：并行异步接口
读写寿命：无限次
数据保持时间：至少20年（无电源）
CY14V104NA-BA25XIT 的核心特性在于其基于铁电技术的非易失性存储单元，这使得它在断电后依然能够保持数据，而无需传统NVRAM所需的电池支持。该芯片的读写速度与标准SRAM相当，访问时间为25ns，能够满足高速数据处理需求。
此外，该器件具备极高的耐用性，写入操作次数无限制，不会出现传统EEPROM或Flash存储器的磨损问题。其低功耗设计在待机模式下电流极低，适合电池供电或低功耗应用环境。
CY14V104NA-BA25XIT 还内置硬件写保护功能，可防止意外写入，确保关键数据的安全性。同时，该芯片支持自动存储器刷新和数据轮询功能，提高了系统的稳定性和可靠性。
该芯片采用44引脚TSOP封装，符合工业级温度标准，适用于各种严苛环境下的应用，如工业控制、医疗设备、通信系统和嵌入式系统。
CY14V104NA-BA25XIT 广泛应用于需要高速、高可靠性及数据持久性的场景。例如，在工业控制系统中，用于存储关键配置参数和运行数据；在医疗设备中，用于记录病人数据和设备状态信息；在通信设备中，作为缓存或配置存储器使用；在嵌入式系统中，用于实现快速启动和非易失性数据存储。
此外，该芯片也适用于POS终端、智能电表、安防监控设备等需要频繁写入且不能丢失数据的应用。由于其高速特性和无限次写入能力，特别适合替代传统的EEPROM和带电池的SRAM解决方案。
FM16V04A-SG, AB16V04B-BA25LXT, CY14V104LB-BA25XI
