制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：Excelon Ultra High Reliability
　　存储容量：1 Mbit
　　组织结构：128 K × 8
　　工作电压：3.0 V ~ 3.6 V
　　最大访问时间：45 ns
　　封装/外壳：48-TSOP II
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　接口类型：并行异步
　　写入耐久性：无限次
　　数据保持时间：20年（典型）
　　非易失性写入时间：15 μs（典型）
　　电源电流（待机）：50 μA（典型）

CY14V101NA-BA45XIT的核心特性之一是其基于量子隧道氧化物（QTO）技术的非易失性存储单元，该技术通过在硅基底上构建极薄的氧化层，利用电子的量子隧穿效应实现电荷的注入与移除，从而完成数据的非易失性存储。与传统的浮栅技术（如Flash或EEPROM）不同，QTO不会因高温或长时间使用而导致电荷泄漏或氧化层退化，因此具有更高的可靠性和更长的数据保持能力。这种结构也避免了编程/擦除过程中的高电压需求，降低了功耗并提高了器件寿命。
　　该器件支持自动存储（AutoStore）和软件存储（Software Store）两种数据保存模式。在AutoStore模式下，当检测到电源电压下降至预设阈值时，器件会自动启动非易失性写入操作，将SRAM中的数据备份到非易失性阵列中，整个过程无需主控制器干预，确保突发断电时数据不丢失。而在Software Store模式下，用户可通过特定指令手动触发存储操作，适用于需要精确控制数据保存时机的应用场景。此外，还支持硬件存储使能（HOLD pin），允许在多设备系统中同步执行存储操作。
　　CY14V101NA-BA45XIT具备卓越的抗辐射和抗干扰能力，符合工业级和汽车级可靠性标准，适合部署在电磁环境复杂或温差较大的现场环境中。其SRAM部分支持标准异步读写时序，最大访问时间为45ns，能够满足高速数据缓存需求。同时，器件内部集成了上电复位（Power-On Reset）电路和电压监控模块，确保每次上电时都能正确恢复非易失性数据，避免系统启动异常。所有写操作均受写保护机制控制，包括硬件写保护引脚（WP）、软件密码保护以及地址范围锁定功能，有效防止未经授权的修改。

CY14V101NA-BA45XIT广泛应用于对数据完整性、写入速度和系统可靠性要求极高的领域。在工业自动化系统中，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、运动控制卡和远程I/O模块中，作为实时数据缓存和配置参数存储，确保在意外断电后仍能保留关键运行状态信息。在通信基础设施中，该器件可用于基站控制器、路由器和交换机中的日志记录、MAC地址表缓存以及固件临时存储，提升系统响应速度和故障恢复能力。
　　在汽车电子领域，CY14V101NA-BA45XIT适用于ADAS（高级驾驶辅助系统）、车载网关和ECU（电子控制单元）中，用于存储传感器校准数据、驾驶行为记录和诊断信息。由于其宽温特性和高可靠性，能够在-40°C至+85°C范围内稳定工作，适应严苛的车载环境。此外，在医疗设备如监护仪、成像系统和便携式诊断装置中，该器件可用来保存患者数据、设备设置和操作日志，保障生命攸关信息的安全性。
　　航空航天与国防系统也是其重要应用方向，例如飞行控制系统、雷达信号处理单元和卫星通信终端，这些系统要求元器件具备高抗辐射性、长寿命和极端环境下的稳定性。CY14V101NA-BA45XIT凭借其无磨损老化机制和无限写入耐久性，成为替代传统NVRAM（如带电池的SRAM）的理想选择，消除了电池更换维护成本和潜在泄漏风险。

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　　 "CY14V101NA-BA45XI",
　　 "CY14V101NA-BA60XIT",
　　 "CY14V101PA-BA45XIT"
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