您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CY14B256LA-ZS25XIT

CY14B256LA-ZS25XIT 发布时间 时间:2025/11/3 17:14:46 查看 阅读:52

Cypress Semiconductor(现为Infineon Technologies的一部分)的CY14B256LA-ZS25XIT是一款非易失性SRAM(nvSRAM)存储器芯片,结合了高速静态随机存取存储器(SRAM)与持久性数据存储功能。该器件采用先进的SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)技术实现可靠的非易失性存储,能够在断电情况下自动将SRAM中的关键数据保存到内部非易失性存储阵列中,并在上电时恢复数据。这种特性使得CY14B256LA特别适用于需要高可靠性、实时数据保护和频繁数据写入的应用场景。该器件容量为256 Kbit(32 K × 8位),支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),采用小型化SOIC-8封装,便于在空间受限的系统中部署。CY14B256LA-ZS25XIT具备两种非易失性存储操作模式:硬件触发的STORE和RECALL,以及通过软件指令控制的AUTOSTORE功能。当系统检测到电源电压下降至安全阈值以下时,AUTOSTORE机制可自动启动数据保存过程,确保在意外掉电时不会丢失重要信息。此外,该芯片还支持无限次的数据保存周期(STORE/RECALL),并提供超过30年的数据保留能力,远超传统EEPROM或Flash存储器的性能。由于其兼具SRAM的速度优势和非易失性存储的可靠性,CY14B256LA-ZS25XIT广泛应用于工业自动化、医疗设备、通信基础设施、智能仪表和航空航天等领域,作为关键数据缓存、配置信息存储或日志记录的理想选择。

参数

型号:CY14B256LA-ZS25XIT
  制造商:Infineon Technologies (原 Cypress)
  产品类型:nvSRAM (非易失性SRAM)
  存储容量:256 Kbit (32K x 8)
  供电电压:2.7V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:SOIC-8
  接口类型:并行接口
  最大访问时间:25 ns
  非易失性存储耐久性:> 1,000,000 次 STORE/RECALL
  数据保持时间:> 30 年(在 +85°C 环境下)
  AUTOSTORE 支持:是
  HOLD 功能:是
  字节写使能:是

特性

CY14B256LA-ZS25XIT的核心特性在于其融合了高速SRAM与非易失性存储技术的优点,提供了卓越的性能和可靠性。该器件基于SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)工艺制造,实现了无需外部电容或电池即可完成数据保护的功能。其256Kbit的存储空间组织为32K×8结构,支持标准的并行总线接口,兼容传统的异步SRAM时序,因此可以无缝替换现有设计中的普通SRAM芯片,而无需对硬件逻辑进行重大修改。
  在非易失性操作方面,CY14B256LA-ZS25XIT提供三种工作模式:硬件触发的POWER DOWN STORE、POWER UP RECALL以及软件控制的AUTOSTORE。当VCC下降至预设阈值(通常约为2.5V)时,内部电路会自动激活STORE操作,将SRAM内容复制到非易失性存储区,整个过程在毫秒级内完成,确保关键数据不因突发断电而丢失。上电时,芯片会在初始化完成后自动执行RECALL操作,将上次保存的数据恢复回SRAM,使系统能够从断点继续运行。此外,用户也可以通过特定地址写入命令手动触发STORE或查询状态寄存器以监控操作进度。
  该器件支持无限次的读写操作(SRAM部分),并且非易失性存储单元具有超过一百万次的耐久性(STORE/RECALL循环),远高于传统EEPROM或Flash的擦写寿命。同时,在高温环境下(+85°C)仍能保证超过30年的数据保持能力,适用于长期运行且维护困难的应用环境。CY14B256LA-ZS25XIT还集成了HOLD功能,允许暂停当前操作以响应更高优先级的任务,提升了系统的灵活性。所有引脚均符合JEDEC标准,具备良好的抗噪能力和ESD保护,适合在恶劣工业环境中稳定运行。

应用

CY14B256LA-ZS25XIT因其高性能和高可靠性,被广泛应用于多个对数据完整性要求极高的领域。在工业控制系统中,它常用于PLC(可编程逻辑控制器)、运动控制器和人机界面(HMI)设备中,用于保存实时采集的过程参数、设备状态和故障日志,即使遭遇突然断电也能确保生产数据不丢失,从而提高系统的可用性和安全性。在医疗电子设备如监护仪、输液泵和成像系统中,该芯片可用于存储患者治疗记录、校准数据和操作日志,保障关键医疗信息的安全性和连续性。
  在通信基础设施方面,路由器、交换机和基站设备利用CY14B256LA-ZS25XIT来缓存配置信息、网络拓扑数据和性能统计,确保在网络重启后能快速恢复服务。金融终端设备如POS机、ATM和加密键盘也采用此类nvSRAM来保护交易记录和安全密钥,防止因电源异常导致的数据泄露或损坏。
  此外,在智能仪表(如电表、水表、气表)中,该芯片可用于记录用量数据和事件日志,满足严格的数据审计要求。航空航天与国防系统则利用其宽温特性和高抗干扰能力,在飞行控制单元、雷达系统和导航设备中实现关键飞行数据的实时保存。总之,任何需要“像SRAM一样快、像EEPROM一样持久”的应用场景,都是CY14B256LA-ZS25XIT的理想用武之地。

替代型号

CY14B256L-FN25XP
  CY14B256LA-ZS25XI

CY14B256LA-ZS25XIT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

CY14B256LA-ZS25XIT资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

CY14B256LA-ZS25XIT参数

  • 数据列表CY14B256LA
  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量256K (32K x 8)
  • 速度25ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商设备封装44-TSOP II
  • 包装带卷 (TR)