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CY14B256L-SP35XC 发布时间 时间:2025/11/3 23:27:43 查看 阅读:11

CY14B256L-SP35XC是一款由Infineon Technologies(英飞凌)公司生产的串行铁电非易失性存储器(F-RAM)芯片。该器件结合了随机存取存储器(RAM)的高速读写性能和非易失性存储器的数据持久性,能够在断电后长期保存数据而无需备用电源。CY14B256L系列采用先进的铁电工艺技术制造,提供高达10^14次的读写耐久性,远超传统闪存或EEPROM等非易失性存储器,适用于需要频繁写入、高可靠性及低功耗的应用场景。该芯片采用SPI(串行外设接口)通信协议,支持标准、双线、四线SPI模式,最高工作频率可达35MHz,便于与多种微控制器和嵌入式系统集成。CY14B256L-SP35XC的存储容量为256 Kbit(即32 K × 8位),属于中小容量F-RAM产品,适合用于工业控制、汽车电子、医疗设备、智能仪表和物联网终端等领域中对数据记录频率高、写入延迟敏感的关键应用。器件具备宽电压工作范围,通常支持2.7V至3.6V供电,并具有出色的抗辐射和抗干扰能力,符合工业级温度范围(-40°C至+85°C),部分型号还满足AEC-Q100汽车级认证要求。此外,该芯片在写入时无需延时等待,无须进行页编程或扇区擦除操作,真正实现即时写入(Instant Write?)功能,极大提升了系统效率并降低了软件复杂度。

参数

型号:CY14B256L-SP35XC
  制造商:Infineon Technologies
  存储容量:256 Kbit (32 K × 8)
  接口类型:SPI(支持单/双/四I/O)
  最大时钟频率:35 MHz
  工作电压:2.7 V 至 3.6 V
  工作温度范围:-40 °C 至 +85 °C
  写入耐久性:> 10^14 次
  数据保持时间:> 10 年(典型值)
  封装形式:SOIC-8 或 TSSOP-8(具体以规格书为准)
  写入周期时间:0 ns(无延迟写入)
  待机电流:< 10 μA(典型值)
  工作电流:< 10 mA(读/写操作)
  非易失性:是(铁电存储技术)
  可靠性:无需ECC或磨损均衡算法

特性

CY14B256L-SP35XC的核心特性之一是其基于铁电材料(Ferroelectric)的存储单元设计,这种技术不同于传统的浮栅型闪存或EEPROM,它通过铁电晶体的极化状态来存储数据,从而实现了几乎无限的写入寿命和极快的写入速度。由于其写入过程是非破坏性的且不需要高电压编程或擦除步骤,因此每次写入操作都能在总线传输完成后立即完成,消除了传统非易失性存储器常见的写入延迟问题,特别适合实时数据采集系统,如电表、PLC控制器或传感器日志记录器。该器件支持全地址空间自由写入,无需分页管理或预擦除流程,极大地简化了固件开发难度。
  另一个重要特性是低功耗表现。CY14B256L-SP35XC在主动读写模式下的电流消耗远低于同类NOR Flash或EEPROM产品,同时待机模式下功耗极低,非常适合电池供电或能量受限的应用环境。此外,该芯片具备卓越的数据保持能力和抗辐射性能,在极端温度、强电磁干扰或高海拔环境下仍能稳定运行,已在多个严苛工业与汽车应用场景中验证其长期可靠性。SPI接口兼容性强,支持多种工作模式(Mode 0 和 Mode 3),允许灵活配置主控设备,提升系统兼容性。最后,该器件内置写保护机制,可通过软件指令或硬件WP引脚防止意外写入,保障关键数据安全。

应用

CY14B256L-SP35XC广泛应用于对数据写入频率高、系统响应速度快以及长期可靠性要求严格的领域。在工业自动化系统中,常用于PLC、远程I/O模块和过程控制器中的实时参数存储、事件日志记录和校准数据保存;在智能电表、水表和气体计量设备中,作为计费数据和使用历史的高耐久性存储单元,确保即使频繁更新也不会导致存储失效。在汽车电子方面,可用于车身控制模块、发动机管理系统或ADAS系统的配置信息存储,尤其适用于启停频繁、振动大、温差剧烈的车载环境。医疗设备如便携式监护仪、血糖仪和呼吸机也采用此类F-RAM芯片来记录患者数据和设备运行状态,确保数据不丢失且符合医疗安全标准。此外,在POS终端、打印机、网络通信设备和IoT边缘节点中,该芯片可替代传统EEPROM以提升写入性能和系统整体响应速度。由于其无需备份电源即可实现非易失存储,还可用于SRAM替代方案,降低系统复杂度和成本。

替代型号

FM25W256-GTR
  MB85RS2MT
  CY14B256Q-SX35SSE

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CY14B256L-SP35XC参数

  • 标准包装30
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量256K (32K x 8)
  • 速度35ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳48-BSSOP(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装48-SSOP
  • 包装管件
  • 其它名称428-2031-5CY14B256L-SP35XC-ND