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CY14B256K-SP45XI 发布时间 时间:2025/11/3 22:09:18 查看 阅读:12

CY14B256K-SP45XI是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的串行F-RAM(铁电随机存取存储器)存储芯片。该器件结合了非易失性存储器的特性与高性能、高耐久性的优势,适用于需要频繁写入操作和数据持久化保存的应用场景。F-RAM技术基于铁电电容的物理特性,能够在无需电池支持的情况下实现无限次的数据写入,并在断电后长期保持数据不丢失。CY14B256K系列提供256 Kbit(32 K × 8)的存储容量,采用标准的SPI(串行外设接口)通信协议,兼容性强,便于集成到各种嵌入式系统中。该型号工作电压范围为3.0V至3.6V,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),适合在恶劣环境条件下稳定运行。CY14B256K-SP45XI封装形式为8引脚SOIC,具有良好的热性能和机械稳定性,广泛应用于工业控制、医疗设备、汽车电子、智能仪表等领域。作为一款非易失性RAM,它克服了传统EEPROM和闪存写入速度慢、寿命有限的问题,同时无需备用电源即可实现高速数据记录,是替代传统非易失性存储器的理想选择。
  这款芯片支持快速读写操作,写入延迟几乎为零,且支持字节级别的写入,无需像闪存那样进行块擦除操作,极大提升了系统的响应速度和可靠性。此外,其超低功耗特性使其非常适合用于对能耗敏感的应用场合,例如便携式设备或远程传感器节点。CY14B256K-SP45XI还具备卓越的数据保留能力,数据可保存长达10年以上,即使在极端温度环境下也能保持数据完整性。内置的自动写保护机制可防止因意外掉电或误操作导致的数据损坏,进一步增强了系统的鲁棒性。

参数

制造商:Infineon Technologies
  产品系列:Excelon Ultra High Endurance F-RAM
  存储容量:256 Kbit
  组织结构:32K × 8
  接口类型:SPI(四线制,支持SPI模式0和3)
  时钟频率:最高45 MHz
  工作电压:3.0V ~ 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:8-SOIC (Narrow)
  写入耐久性:> 10^14 次读/写周期
  数据保持时间:10年 @ 最高工作温度
  写入时间:无延迟(即时写入)
  待机电流:典型值 10 μA
  工作电流:典型值 5 mA @ 45 MHz

特性

CY14B256K-SP45XI的核心技术基于铁电存储单元(Ferroelectric Memory Cell),其存储机制不同于传统的浮栅型非易失性存储器(如EEPROM或Flash)。F-RAM利用铁电材料的极化状态来表示逻辑“0”和“1”,这种极化状态可以在没有外部电源的情况下长期保持,从而实现非易失性存储功能。最关键的优势在于其写入操作不需要高电压编程或长时间的擦除过程,因此写入速度极快,接近于SRAM的水平,且在整个生命周期内可承受超过10^14次的读写操作,远高于普通EEPROM的10万次和闪存的10万次上限。这意味着该器件可以用于需要频繁更新数据的场景,例如实时数据日志记录、事件追踪、配置参数动态保存等,而不会出现存储单元磨损导致失效的问题。
  该芯片支持标准SPI接口,兼容主流微控制器的SPI主控模式,通信速率最高可达45MHz,能够满足高速数据传输需求。它支持SPI模式0(CPOL=0, CPHA=0)和模式3(CPOL=1, CPHA=1),用户可根据系统设计灵活配置。指令集简洁明了,包括读、写、写使能、写禁止、状态寄存器读/写等基本命令,易于软件驱动开发。片内集成写保护机制,在上电和下电过程中自动禁用写操作,防止因电源不稳定引起的误写入。此外,芯片还具备软件和硬件双重写保护选项,可通过WP引脚实现硬件写保护,提升系统安全性。
  CY14B256K-SP45XI的另一个显著特点是极低的功耗表现。在待机状态下,电流消耗仅为几微安级别,而在活跃读写期间也仅需几毫安电流,特别适合使用电池供电或能量采集系统的应用。由于无需进行擦除操作,每次写入的能量消耗极低,有助于延长设备的整体使用寿命。同时,该器件具有出色的抗辐射能力和高可靠性,适用于工业自动化、航空航天、医疗监测等对数据完整性和系统稳定性要求极高的领域。其封装符合RoHS标准,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色制造的需求。

应用

CY14B256K-SP45XI广泛应用于需要高频写入、快速响应和长期数据保存的嵌入式系统中。在工业自动化领域,常用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器节点、数据采集模块中,用于实时记录设备运行状态、故障代码、校准参数等关键信息。由于其写入无需延迟且耐久性极高,非常适合用于替代传统EEPROM以提高系统效率和可靠性。在医疗设备中,该芯片可用于存储患者治疗记录、设备使用日志、传感器校准数据等敏感信息,确保断电后数据不丢失,并满足严格的合规性要求。
  在汽车电子系统中,CY14B256K-SP45XI可用于车载记录仪、发动机控制单元(ECU)、胎压监测系统(TPMS)以及高级驾驶辅助系统(ADAS)中的配置存储和事件日志记录。其宽温特性和高抗干扰能力使其能在复杂电磁环境中稳定工作。在智能仪表领域,如电表、水表、气表中,该芯片可用于保存计量数据、用户设置和通信配置,即使在突发断电情况下也能保证数据完整性,避免计费误差。
  此外,该器件也适用于物联网终端设备、远程监控系统、POS机、打印机缓冲存储等需要频繁更新小量数据的应用场景。在这些应用中,传统闪存往往受限于写入寿命和擦除延迟,而CY14B256K-SP45XI则提供了更优的解决方案。其高速SPI接口使得数据交换更加高效,配合低功耗特性,有助于构建节能、可靠的嵌入式存储子系统。对于需要长期无人值守运行的设备来说,该芯片的高可靠性和免维护特性尤为重要。

替代型号

FM25W256-G

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CY14B256K-SP45XI参数

  • 标准包装30
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量256K (32K x 8)
  • 速度45ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.7 V ~ 3.45 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳48-BSSOP(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装48-SSOP
  • 包装管件