型号：CY14B108N-BA45XIT
　　制造商：Infineon Technologies
　　存储类型：非易失性FRAM + SRAM
　　存储容量：8 Mbit (256K x 32)
　　接口类型：I2C 兼容串行接口 (最高400kHz)
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-SOIC (Small Outline Integrated Circuit)
　　写保护功能：硬件WP引脚支持
　　数据保留时间：超过20年（在-40°C至+85°C环境下）
　　写入耐久性：无限次（基于铁电技术）
　　访问时间：典型值小于1μs（读写速度接近SRAM）
　　功耗模式：低功耗待机模式与主动读写模式
　　数据保存触发机制：Vcc监控与自动存储/恢复逻辑

CY14B108N-BA45XIT的核心优势在于其采用铁电存储技术（FRAM），相较于传统的基于浮栅技术的EEPROM或需要电池支持的NVSRAM，具备极高的写入耐久性和超快的写入速度。普通EEPROM通常只能承受约10万次的擦写周期，而该器件由于使用铁电电容作为存储介质，理论上可实现无限次的写入操作，极大提升了系统在高频数据采集和日志记录场景下的可靠性和寿命。此外，其写入过程无需预擦除步骤，也不产生写入延迟，写入速度几乎与SRAM相同，显著优于传统非易失性存储器。
　　该芯片内部集成了SRAM阵列和非易失性存储阵列两部分，正常运行时作为高速SRAM使用，当检测到供电电压下降至阈值以下时，片上专有电路会自动启动“自动存储”功能，将SRAM中的关键数据保存到FRAM中；而在下次上电时，则自动执行“自动恢复”，将数据从非易失区重新载入SRAM，确保系统状态的一致性。这一过程完全由芯片内部控制逻辑完成，无需主机处理器干预，简化了系统设计并提高了数据安全性。
　　CY14B108N-BA45XIT还提供硬件写保护引脚（WP），当该引脚接地时，禁止对存储器的写入操作，防止因软件错误或外部干扰导致的数据损坏。其I2C接口兼容性强，支持多设备总线连接，且通信协议简单，易于集成到现有嵌入式系统中。低功耗特性使其非常适合用于远程传感器节点、便携式医疗设备以及能源计量仪表等对能效要求较高的应用领域。整体来看，这款器件在性能、可靠性与易用性之间实现了良好平衡，是替代传统带电池NVSRAM或频繁写入EEPROM的理想选择。

CY14B108N-BA45XIT广泛应用于对数据完整性、写入速度和长期可靠性有严格要求的工业与嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的实时数据记录，如PLC（可编程逻辑控制器）中的工艺参数与事件日志存储，能够在频繁断电重启环境中保持数据不丢失。在智能电表、水表、气表等能源计量设备中，用于保存累计用量、时间戳和异常事件信息，满足高写入频率和长寿命的需求。在医疗设备如监护仪、血糖仪中，可用于存储患者历史数据和设备校准信息，保障关键数据的安全性。
　　汽车电子领域也是其重要应用方向之一，例如车载黑匣子（EDR）、发动机控制单元（ECU）中的故障码记录和配置参数保存，利用其宽温特性和抗振动能力，适应严苛的车载环境。此外，在POS终端、打印机、条码扫描器等商业设备中，用于保存交易记录、打印队列和用户设置，提升系统的响应速度与稳定性。由于其无需电池的设计，符合现代电子产品绿色环保、免维护的发展趋势，特别适用于难以更换电池或维护成本高的远程部署设备。总之，任何需要在无外部备用电源条件下实现高速、高频、可靠的非易失性数据存储的应用，都是CY14B108N-BA45XIT的理想用武之地。

FM24V10-GTR
　　CY14MB108Q-BA45XI
　　CY14B108M-BA45XI