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CY14B108L-ZS45XIT 发布时间 时间:2025/11/3 16:59:21 查看 阅读:15

CY14B108L-ZS45XIT 是 Cypress Semiconductor(现属于 Infineon Technologies)推出的一款高可靠性、低功耗的 8-Mbit (512K × 16) 串行与并行兼容的 nvSRAM(非易失性静态随机存取存储器)。该器件结合了高速 SRAM 和耐久性强的非易失性存储技术,采用先进的 SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)制造工艺,能够在断电时自动将数据保存至内部非易失性存储单元,并在上电时自动恢复数据。CY14B108L-ZS45XIT 提供标准的异步并行接口,兼容通用的 SRAM 时序,便于系统升级和替换传统 SRAM。此外,它集成了实时时钟(RTC)功能,并配备一个专用的 VBAT 引脚用于后备电源供电,确保在主电源失效时 RTC 继续运行且关键数据不丢失。该芯片广泛应用于工业控制、通信设备、医疗仪器以及需要实时数据记录和系统状态保持的关键场景。
  此型号中的 'ZS' 表示无铅封装,'45X' 指工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,'IT' 表示卷带包装。CY14B108L-ZS45XIT 支持硬件和软件两种数据存储(Store)触发方式,并可通过配置启用自动存储功能,在检测到电源下降时迅速完成数据保护操作。其高达 10^14 次读写/存储寿命和至少 20 年的数据保留能力,使其远超传统 EEPROM 或 Flash 存储器,在频繁写入的应用中表现出卓越的可靠性和稳定性。

参数

容量:8 Mbit
  组织结构:512K × 16
  工作电压:VDD: 3.3V ± 0.3V
  工作电流:典型待机电流 10 μA,读取电流 25 mA
  访问时间:45 ns
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:44-pin TSOP II
  接口类型:并行异步接口
  非易失性存储技术:SONOS
  数据保持时间:最少 20 年
  写入耐久性:10^14 次 store 操作
  实时时钟(RTC):集成支持,需外接晶体或使用内部振荡器
  后备电源引脚:VBAT 支持电池或超级电容供电

特性

CY14B108L-ZS45XIT 的核心特性之一是其基于 SONOS 技术的非易失性存储单元设计,这一创新结构通过在栅极堆叠中引入氮化物电荷俘获层来实现高耐久性和长期数据保持能力。与传统的浮栅 Flash 不同,SONOS 结构具有更低的编程电压、更高的写入速度和更长的寿命,避免了因氧化层击穿导致的早期失效问题。每个存储单元可承受高达 10^14 次的读/写/存储操作,远远超过普通 EEPROM 的 10^6 次限制,非常适合需要频繁更新配置信息或日志数据的应用环境。此外,该器件支持即时写保护机制,当系统监测到 VDD 下降至预设阈值以下时,会自动启动 STORE 流程,将 SRAM 数据复制到非易失性阵列中,整个过程无需 CPU 参与,提升了系统的安全性和响应速度。
  CY14B108L-ZS45XIT 还具备灵活的数据存储控制方式,支持由外部信号(如 HSB 或 STORE 引脚)触发的手动存储,也支持通过寄存器配置实现的软件命令存储。同时,它可以设置为 AUTOSTORE 模式,在上电或复位后自动执行 RECALL 操作,将上次保存的内容加载回 SRAM,从而实现“永不丢失”的内存行为。这种无缝切换机制使得系统可以在断电重启后立即恢复到断电前的状态,极大增强了系统的连续性和用户体验。集成的实时时钟模块允许用户记录事件发生的时间戳,配合后备电源可在主电源关闭期间持续计时,适用于审计日志、故障记录等对时间敏感的功能。
  该器件采用工业标准的 44-pin TSOP II 封装,引脚布局兼容多数异步 SRAM 芯片,方便现有系统进行直接替换而无需重新设计 PCB 布局。所有输入/输出均符合 LVTTL 电平规范,易于与微控制器、FPGA 或 DSP 等主流处理器连接。Cypress 提供完整的开发支持工具包,包括评估板、驱动代码示例和技术文档,帮助工程师快速完成产品集成和调试。由于其高可靠性、长寿命和多功能集成特点,CY14B108L-ZS45XIT 成为替代电池供电 SRAM 或带 EEPROM 缓冲区方案的理想选择,不仅降低了系统复杂度,还消除了电池更换维护成本和环保隐患。

应用

CY14B108L-ZS45XIT 被广泛应用于多个对数据完整性和系统可靠性要求极高的领域。在工业自动化控制系统中,常用于保存 PLC 的运行参数、工艺配方和设备校准数据,即使遭遇突发断电也能确保生产流程不中断、数据不丢失。在电信与网络设备中,如路由器、交换机和基站控制器,该芯片可用于存储配置文件、路由表快照和操作日志,保障设备重启后能迅速恢复正常服务。医疗电子设备,例如病人监护仪、影像处理系统和实验室分析仪,依赖其长时间数据保持能力和抗干扰性能来记录关键生命体征和诊断信息。
  此外,该器件在智能电表、燃气表等 AMI(高级计量基础设施)系统中发挥重要作用,用以记录用电量、事件时间和异常告警等不可篡改的数据。交通运输领域,如列车控制单元、车载记录仪和航空电子系统,也采用 CY14B108L-ZS45XIT 实现黑匣子式的数据记录功能。得益于其内置实时时钟和后备电源管理能力,它还能用于构建无需外部 RTC 和电池的紧凑型嵌入式系统,简化设计并提高整体可靠性。在测试与测量仪器中,该芯片可用于缓存大量采集数据并在电源故障时自动保存,防止实验成果丢失。总之,任何需要“即时非易失性”特性的应用场景都是 CY14B108L-ZS45XIT 的理想用武之地。

替代型号

CY14MB08M-ZS45XI

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CY14B108L-ZS45XIT参数

  • 数据列表CY14B108(L,N)
  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量8M(1M x 8)
  • 速度45ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商设备封装44-TSOP II
  • 包装带卷 (TR)