时间：2025/11/4 2:28:08
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CY14B104NA-ZS25XI是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的4兆位（512K × 8）的串行铁电随机存取存储器（F-RAM），结合了非易失性数据存储与SRAM级别的读写性能。该器件采用先进的铁电技术，取代传统的基于电池的SRAM或需要写入延迟的EEPROM和闪存解决方案，提供无限次写入耐久性和极低功耗的数据保持能力。CY14B104NA-ZS25XI通过SPI（串行外设接口）进行通信，支持标准、双线或四线SPI协议，使其能够广泛应用于工业控制、医疗设备、智能仪表、汽车电子以及需要频繁数据记录和高可靠性存储的场景中。该芯片在上电和断电过程中自动将SRAM内容保存至F-RAM阵列，并在下次上电时恢复，这一功能被称为“非易失性存储”（Autostore），也可通过硬件指令手动触发（Hardware Store）。器件封装为8引脚SOIC，符合工业级温度范围（-40°C至+85°C），并具备高抗辐射和抗电磁干扰能力，适用于恶劣环境下的稳定运行。
存储容量：4 Mbit (512K × 8)
接口类型：SPI (支持单/双/四线模式)
时钟频率：最高25 MHz
工作电压：2.7V 至 3.6V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装形式：8-SOIC
写入耐久性：> 10^14 次写周期
数据保持时间：> 10 年（在+85°C下）
自存储时间：最大 20 ms（典型值）
待机电流：20 μA（典型值）
活动电流：6 mA（典型值，25 MHz）
CY14B104NA-ZS25XI的核心特性之一是其基于铁电技术的非易失性存储机制，利用铁电电容替代传统电介质，能够在无需外部电源的情况下长期保存数据，同时避免了传统EEPROM或闪存因氧化层磨损而导致的寿命限制。其写入耐久性高达10^14次，远超普通EEPROM的10^6次和闪存的10^5次，使得该器件特别适合需要高频数据采集与记录的应用场景，如工业传感器日志、医疗监测设备数据缓存等。此外，由于F-RAM无需写入延时（Write Delay），所有写操作均为即时完成，极大提升了系统响应速度和效率。
该器件支持多种SPI通信模式，包括Mode 0和Mode 3，兼容广泛的主控MCU和处理器。通过灵活的命令集，用户可执行读取、写入、写使能、写禁止、状态寄存器访问以及硬件触发的自存储操作。其中，硬件自存储功能通过检测特定引脚（如HSB）的上升沿或下降沿自动启动SRAM到F-RAM的数据保存过程，在突发断电或紧急关机时确保关键数据不丢失。此功能无需软件干预，提高了系统的可靠性和故障恢复能力。
在功耗管理方面，CY14B104NA-ZS25XI具有极低的待机电流（典型20μA），非常适合电池供电或能量受限的嵌入式系统。即使在频繁写入操作下，其功耗也显著低于需要高压编程的传统非易失性存储器。同时，器件内置数据轮询保护机制，防止误写操作，并可通过软件写保护区域设定来增强数据安全性。整体设计符合RoHS标准，具备良好的抗噪声能力和稳定性，可在高电磁干扰环境中可靠运行。
CY14B104NA-ZS25XI广泛应用于对数据完整性、写入速度和耐久性要求较高的工业与嵌入式系统中。典型应用场景包括工厂自动化控制系统中的实时参数记录、PLC模块中的配置信息存储、智能电表和水表中的使用数据日志、医疗设备中的患者治疗记录保存等。在汽车电子领域，它可用于车载诊断系统（OBD）中故障码的快速写入与持久化存储，或作为高级驾驶辅助系统（ADAS）中传感器校准数据的备份单元。此外，在POS终端、打印机、条码扫描器等商业设备中，该芯片可用于交易日志、打印队列缓存的高速写入与断电保护。由于其无需电池即可实现非易失性存储，还可替代传统的BBSRAM（电池供电SRAM），消除电池更换维护成本及环境污染风险，提升产品整体可靠性与环保等级。
FM25V05-GTR
CY15B104QI-PZSXI
MB85RS4MT
