容量：4 Mbit
　　组织方式：512K × 8 / 256K × 16
　　供电电压：3.3V ± 10%
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：44-pin SOIC (Narrow Body)
　　接口类型：并行异步
　　写入耐久性：10^14 次/单元
　　数据保持时间：20 年 @ +85°C
　　读写速度：访问时间 25ns
　　总线保持时间：支持
　　写入周期时间：无延迟写入（零等待）
　　数据保留机制：非易失性（F-RAM）
　　休眠电流：典型值 10 μA
　　工作电流：典型值 25 mA

CY14B104M-ZSP25XI采用先进的铁电存储技术（F-RAM），实现了非易失性与高速读写的完美结合。其核心优势在于极高的写入耐久性，可达10^14次写入/擦除周期，远远超过传统EEPROM（通常为10^6次）和Flash（约10^5次），这意味着在需要频繁更新数据的应用中，如实时数据采集、日志记录或配置存储，该器件几乎不会因写入磨损而失效，极大提升了系统的可靠性和使用寿命。
　　该芯片支持真正的随机访问和字节级写入，无需像Flash那样进行块擦除操作，从而避免了写入延迟和复杂的管理算法。每一次写操作都是即时完成的，不存在“写入周期时间”，实现了“零等待”写入，显著提高了系统响应速度。这对于需要在电源故障或系统重启前快速保存关键数据的应用至关重要，例如工业PLC控制器、智能电表或医疗监测设备。
　　CY14B104M-ZSP25XI兼容标准的异步SRAM接口，引脚排列和时序与商用SRAM高度一致，使得设计人员可以轻松地将现有系统中的SRAM替换为该F-RAM器件，而无需对PCB布局或控制逻辑进行大规模修改，降低了升级成本和开发周期。此外，其3.3V单电源供电简化了电源设计，并内置数据保持电路，确保在断电情况下数据不丢失。
　　该器件还具备出色的抗辐射能力和高可靠性，适用于恶劣环境下的工业和通信应用。其数据保持时间长达20年（在+85°C条件下），并且在整个生命周期内无需进行数据刷新操作。低功耗特性使其在待机模式下仅消耗微安级电流，非常适合电池供电或绿色节能设备。总体而言，CY14B104M-ZSP25XI是一款高性能、高可靠性的非易失性存储解决方案，适用于对数据完整性、写入速度和系统稳定性有严苛要求的应用场景。

CY14B104M-ZSP25XI广泛应用于多个对数据存储性能和可靠性要求较高的领域。在工业自动化控制系统中，常用于PLC（可编程逻辑控制器）中保存实时运行参数、程序配置和故障日志，因其具备高速写入和无限次写入能力，可在每次状态变化时立即记录数据，确保生产过程的可追溯性与安全性。在智能仪表领域，如智能电表、水表和气表，该芯片用于存储计量数据、用户信息和事件记录，即使在突然断电的情况下也能保证数据完整不丢失，满足严格的行业合规要求。
　　在医疗电子设备中，如病人监护仪、便携式诊断设备和输液泵，CY14B104M-ZSP25XI可用于存储患者治疗参数、设备校准数据和操作日志，其高可靠性与长数据保持能力保障了医疗数据的安全性和准确性。在通信基础设施中，包括基站控制器、路由器和交换机，该器件用于保存网络配置、固件参数和调试信息，支持快速启动和动态更新，提升系统维护效率。
　　此外，该芯片也适用于高可靠性数据记录系统，如飞行黑匣子、车载事件记录仪（EDR）和轨道交通监控系统，能够在极端环境下持续记录关键信息。由于其无需电池即可实现非易失性存储，减少了维护需求和安全隐患。在测试与测量仪器中，如示波器、频谱分析仪等，可用于缓存大量采集数据并实现快速掉电保护。总之，任何需要频繁写入、快速存储、长期数据保留和高可靠性的嵌入式系统，都是CY14B104M-ZSP25XI的理想应用场景。

CY14B104Q-ZS25XI
　　CY14B104M-ZS25XI
　　CY14B104M-SO25XIT