容量：4 Mbit
　　组织结构：512K × 8
　　接口类型：SPI
　　最大时钟频率：45 MHz
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：8-SOIC (Small Outline Integrated Circuit)
　　非易失性存储耐久性：无限次
　　数据保持时间：超过20年（在+85°C下）
　　写入耐久性：10^14 次/字节
　　存储周期时间：典型值15μs（自动存储时间）
　　待机电流：典型值10 μA
　　工作电流：典型值15 mA @ 45MHz

CY14B104LA-ZS45XIT的核心特性之一是其采用铁电存储技术（F-RAM），这使得它在写入耐久性和速度方面远超传统EEPROM和Flash存储器。传统的非易失性存储器通常限制在10万到百万次的写入寿命，而该器件每个存储单元可承受高达10^14次的读写操作，几乎实现了“无限”写入寿命，特别适合需要频繁更新数据的应用场景。此外，F-RAM的写入过程无需像EEPROM那样进行擦除或编程延迟，因此写入速度极快，接近于SRAM的访问速度，显著提升了系统响应性能。
　　另一个重要特性是其集成的自动非易失性存储功能。当检测到供电电压下降至预设阈值以下时，器件会自动启动存储操作，将SRAM中的当前数据复制到非易失性存储阵列中，整个过程无需主控制器干预。这一机制确保了突发断电情况下数据的安全保存。上电后，系统会自动执行恢复操作，将上次保存的数据重新加载回SRAM中，使应用能够从中断点继续运行。这种“即时启动”能力减少了初始化时间，提高了系统可用性。
　　该器件还支持多种手动存储命令，允许用户通过SPI指令主动触发存储操作，从而实现精确控制数据保存时机。同时，提供硬件STORE引脚输入，可用于外部触发存储动作，增强系统设计的灵活性。此外，CY14B104LA-ZS45XIT具备卓越的抗干扰能力和高可靠性，能够在强电磁干扰环境下稳定工作。其无电池设计不仅降低了维护成本，也避免了电池泄漏或失效带来的风险。整体而言，这款nvSRAM为高可靠性、高频率写入和快速响应需求的应用提供了理想的解决方案。

CY14B104LA-ZS45XIT广泛应用于对数据完整性、写入速度和系统可靠性要求较高的工业与嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器模块和远程I/O设备中，用以实时记录工艺参数、设备状态和故障日志，确保即使在意外断电后也能完整保留关键生产数据。在通信基础设施中，如路由器、交换机和基站设备，该芯片可用于配置信息缓存和运行日志存储，支持快速重启和配置恢复。
　　在医疗设备方面，例如病人监护仪、影像系统和便携式诊断工具，CY14B104LA-ZS45XIT可用于存储患者数据、校准信息和操作记录，保障数据安全与合规性。此外，在测试与测量仪器中，如示波器、频谱分析仪等，该器件可用于高速采集过程中临时存储测量结果，并在关机前自动保存，防止数据丢失。
　　由于其SPI接口兼容性强，易于集成到现有微控制器系统中，因此也被广泛用于智能电表、POS终端、航空航天电子系统以及轨道交通控制系统等场景。这些应用通常面临复杂电源环境和长时间无人值守运行的需求，而CY14B104LA-ZS45XIT的非易失性、高耐久性和自动存储功能恰好满足这些挑战。此外，其无电池设计符合绿色环保趋势，减少了废弃电池处理问题，适用于可持续发展导向的产品设计。

FM25W04A-GTR
　　CY14B104QSN-ZS45XI