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CY14B104L-BA25XC 发布时间 时间:2025/11/4 0:24:36 查看 阅读:14

CY14B104L-BA25XC 是 Cypress Semiconductor(已被 Infineon Technologies 收购)推出的一款高可靠性、低功耗的 4-Mbit (512 K × 8) 串行 F-RAM(铁电随机存取存储器)芯片。该器件结合了 RAM 的高速读写性能与非易失性存储器的数据持久性,无需外部电池或超级电容即可实现无限次的数据保存。F-RAM 技术基于铁电电容,具有极高的耐久性和快速写入能力,适用于需要频繁数据记录和高可靠性的工业、汽车、医疗及通信系统。
  CY14B104L-BA25XC 采用标准的 SPI(Serial Peripheral Interface)四线接口(SCLK, SI, SO, CS#),兼容大多数微控制器的 SPI 模式(模式 0 和模式 3),支持最高 25 MHz 的时钟频率,能够实现高达 25 Mbit/s 的数据吞吐率。该器件内置先进的写保护机制,包括软件写保护和硬件 WP# 引脚控制,有效防止意外写入或擦除操作,确保关键数据的安全性。
  该芯片工作电压范围为 2.7V 至 3.6V,适用于宽温范围(-40°C 至 +85°C),满足工业级应用需求。其封装形式为 8-pin SOIC(Small Outline Integrated Circuit),便于在空间受限的应用中进行 PCB 布局。CY14B104L-BA25XC 不仅具备传统 EEPROM 或 Flash 存储器的功能,还克服了后者写入速度慢、写寿命有限(通常为 10^5 次)等缺点,提供高达 10^14 次的读写耐久性,几乎可以视为无限次写操作。此外,由于 F-RAM 在写入时不需充电泵或高电压编程,因此功耗极低,特别适合对能耗敏感的嵌入式系统。

参数

存储容量:4 Mbit (512 K × 8)
  接口类型:SPI 四线(SCLK, SI, SO, CS#)
  时钟频率:最高 25 MHz
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:8-pin SOIC
  写入耐久性:10^14 次
  数据保持时间:10 年以上(典型值)
  写保护功能:软件写保护 + 硬件 WP# 引脚
  组织结构:524,288 字节
  访问方式:随机读写
  待机电流:15 μA(典型值)
  主动电流:8 mA(25 MHz,典型值)
  写入周期时间:无延迟(字节级写入)

特性

CY14B104L-BA25XC 所采用的 F-RAM 技术是其核心优势所在。传统的非易失性存储器如 EEPROM 和 NOR Flash 在写入数据时需要较长的编程时间,并且存在有限的擦写寿命(通常为 10 万次左右),这在需要频繁更新数据的应用中成为瓶颈。而 CY14B104L-BA25XC 利用铁电材料的极化特性来存储数据,能够在无需刷新或重写的情况下实现近乎无限的读写次数(高达 10^14 次),远超传统存储器几个数量级。这种卓越的耐久性使其非常适合用于实时数据采集、日志记录、配置参数频繁变更等场景。
  另一个显著特点是其“即时写入”能力。由于 F-RAM 写入过程不依赖于缓慢的电子隧穿机制,而是通过快速切换铁电畴的状态完成,因此每个字节都可以立即写入,无需等待写周期结束。这意味着用户可以在发送完数据后立刻执行下一条指令,极大提升了系统响应速度和整体效率。相比之下,Flash 或 EEPROM 往往需要数百微秒甚至毫秒级别的写等待时间,在高频率数据记录中会导致数据丢失或系统阻塞。
  功耗方面,CY14B104L-BA25XC 表现出色。它在主动工作状态下的电流消耗仅为约 8 mA(25 MHz),而在待机模式下可低至 15 μA,有助于延长电池供电设备的使用寿命。同时,由于无需额外的电池备份电路即可保证断电后数据不丢失,进一步简化了系统设计并降低了 BOM 成本。
  安全性方面,该器件提供了多层次的写保护机制。通过状态寄存器中的写保护位,可以软件锁定部分或全部存储区域;同时,硬件 WP# 引脚允许外部控制器物理控制写使能状态,增强了系统的抗干扰能力和数据完整性保障。此外,所有写操作都支持按页(Page Write)方式进行,提高了批量写入效率。

应用

CY14B104L-BA25XC 广泛应用于对数据可靠性、写入速度和耐久性要求较高的工业与嵌入式系统中。在工业自动化领域,常用于 PLC(可编程逻辑控制器)、传感器节点、远程 I/O 模块中的实时数据记录和配置存储,能够在不断电重启或突发断电情况下确保生产数据不丢失。
  在汽车电子系统中,该芯片可用于车载黑匣子(Event Data Recorder)、发动机控制单元(ECU)的故障码存储、仪表盘设置记忆等功能模块,满足 AEC-Q100 可靠性标准,适应严苛的车载环境。
  医疗设备也是其重要应用场景之一,例如便携式监护仪、血糖仪、输液泵等设备中,用于保存患者历史数据、校准参数和操作日志,确保数据长期稳定可靠。
  通信基础设施如基站、路由器和交换机中,CY14B104L-BA25XC 可作为网络配置缓存或运行日志存储器,支持快速写入和频繁更新,提升系统维护效率。
  此外,在智能电表、燃气表等计量设备中,该芯片用于记录用电量、事件时间戳等关键信息,具备防篡改和长期保存能力。其 SPI 接口简单易用,便于与各类主控 MCU 集成,缩短开发周期。得益于其低功耗特性,也适用于物联网终端、无线传感网络等由电池供电的边缘设备,实现长时间无人值守运行。

替代型号

FM25W04-GTR

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CY14B104L-BA25XC参数

  • 标准包装299
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量4M (512K x 8)
  • 速度25ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳48-TFBGA
  • 供应商设备封装48-FBGA(6x10)
  • 包装管件