存储容量：1Mbit（128K x 8）
　　接口类型：SPI（串行外设接口）
　　工作电压：2.7V 至 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　访问时间：最大时钟频率为40MHz
　　封装类型：8引脚SOIC
　　非易失性存储技术：基于Quantum Trap技术
　　数据保持时间：> 20年
　　写入耐久性：100亿次读/写周期
　　

CY14B101Q3-SFXC NVSRAM芯片具备多项先进特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，其采用的Quantum Trap非易失性存储技术，使得芯片能够在断电情况下保持数据完整性，而无需外部电池支持。其次，该芯片通过SPI接口实现高速数据传输，最高时钟频率可达40MHz，适用于对数据传输速度有较高要求的应用。此外，CY14B101Q3-SFXC支持宽电压范围（2.7V至5.5V），增强了其在不同电源环境下的适应性。其高写入耐久性（可达100亿次循环）显著优于传统EEPROM和Flash存储器，大大延长了设备的使用寿命。芯片内置的数据自动存储和恢复功能，在电源故障或系统重启时可确保关键数据不丢失，提升了系统可靠性。此外，该芯片符合工业级温度范围（-40°C至+85°C），适用于各种严苛环境下的稳定运行。整体而言，CY14B101Q3-SFXC在性能、可靠性与易用性方面达到了较高的平衡。

CY14B101Q3-SFXC广泛应用于需要高速数据存储和非易失性数据保护的场合。典型应用包括工业控制系统中的参数存储与配置备份、通信设备中的实时数据缓冲、医疗设备中的关键数据保存、网络设备中的固件更新与配置存储、以及嵌入式系统中的高速非易失性缓存。由于其高可靠性和宽温工作范围，该芯片也适用于航空航天、汽车电子等对环境适应性要求较高的领域。

Cypress CY14B101Q-SNXC, Cypress CY14B101P-ZSAXC, Cypress CY14B101N-ZSAXI