存储容量：1 Mbit (128 K × 8)
　　接口类型：SPI (四线制，支持模式 0 和模式 3)
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　时钟频率：最高支持 45 MHz
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：16-pin SOIC (宽体)
　　非易失性写入耐久性：10^14 次/字节
　　数据保持时间：>20 年（在 85°C 下）
　　写入延迟：无（即时写入）
　　实时时钟精度：±3.5 ppm（典型值，依赖外部晶振）
　　备用电池输入：支持 VBAT 引脚供电
　　功耗（主动模式）：约 3 mA（典型值）
　　功耗（待机模式）：约 10 μA（典型值）

CY14B101NA-ZS45XIT 的核心特性之一是其采用的铁电存储技术（F-RAM），这种技术不同于传统基于浮栅结构的 EEPROM 或 Flash，它使用铁电材料作为介质层，通过极化方向来存储数据状态。这一机制使得 CY14B101NA-ZS45XIT 在写入操作时无需高电压编程或擦除周期，从而实现了“即时写入”功能，极大提升了写入效率并消除了写入延迟问题。相比之下，Flash 存储器通常需要数百毫秒的擦除时间，而 F-RAM 可以在总线速度下完成每一次写操作。此外，F-RAM 的耐久性高达 10^14 次读写循环，远超普通 EEPROM 的 10^6 次限制，使其非常适合需要频繁更新数据的应用场景，如传感器日志记录、交易数据存储或配置参数实时保存。
　　另一个显著特点是集成实时时钟（RTC）功能，该 RTC 模块支持年、月、日、时、分、秒计时，并可通过外部 32.768 kHz 晶振提供精确的时间基准。当主电源失效时，芯片会自动切换到外部电池供电（通过 VBAT 引脚），以维持 RTC 运行和部分关键寄存器的数据完整性。这种设计特别适用于智能电表、工业控制器等需要长期时间戳记录的设备。RTC 还支持闹钟中断输出，可用于唤醒系统或触发定时任务。
　　在功耗管理方面，CY14B101NA-ZS45XIT 提供多种节能模式，包括主动模式、待机模式和休眠模式。由于 F-RAM 本身写入能耗极低，整体功耗远低于同类非易失性存储器。例如，在写入 1KB 数据时，其能量消耗仅为同等容量 Flash 器件的千分之一左右。这使得该芯片成为电池供电或能量采集系统的理想选择。此外，SPI 接口兼容性强，支持标准指令集，包括读写数据、设置保护区域、访问 RTC 寄存器等功能，便于与各种微控制器进行无缝对接。

CY14B101NA-ZS45XIT 广泛应用于对数据可靠性、写入速度和低功耗有严格要求的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于 PLC（可编程逻辑控制器）、远程 I/O 模块和传感器节点中，用于实时采集和存储过程数据、事件日志和故障信息。由于其卓越的耐久性和快速写入能力，即使在每秒多次写入的高频操作下也能稳定运行多年，避免了传统存储器因寿命耗尽而导致的系统故障。
　　在智能计量设备中，如智能水表、电表和燃气表，该芯片用于记录用量数据、操作事件和时间戳信息。集成的 RTC 功能可确保断电后时间持续运行，满足法规对时间准确性的要求。同时，低功耗特性延长了电池使用寿命，适合部署在难以更换电池的偏远位置。
　　医疗设备也是其重要应用场景之一，例如便携式监护仪、血糖仪和输液泵等设备，需要安全地保存患者治疗记录和设备校准参数。CY14B101NA-ZS45XIT 不仅提供高可靠性数据存储，还符合医疗行业对长期数据完整性的需求。
　　在汽车电子中，可用于车载黑匣子（Event Data Recorder）、ECU 参数备份和车载诊断系统（OBD）。其宽温工作范围（-40°C ~ +85°C）和抗振动性能适应严苛的车载环境。此外，在物联网终端设备中，如无线传感器网络、边缘计算节点和智能家居控制器，该芯片支持频繁的小量数据写入，且无需复杂的磨损均衡算法，简化了软件开发难度。

FM25V05-GTR
　　CY14B108AN-ZS45XI
　　ABFRAM1M