型号：CY14B101NA-ZS25XI
　　制造商：Infineon Technologies (原Cypress)
　　存储容量：1 Kbit (128 x 8) F-RAM
　　接口类型：I2C，标准/快速模式（最高400 kHz）
　　工作电压范围：2.7V 至 3.6V
　　备份电压范围：1.8V 至 3.6V（VBACKUP）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　计时精度：±3.5 ppm（在25°C下，典型值）
　　时间保持电流：典型值为600 nA（使用外部晶体时）
　　写入耐久性：10^14 次写入/字节
　　数据保持时间：超过20年（在+85°C下）
　　封装类型：SOIC-8（宽体）
　　是否含电池：否（需外接备用电池）
　　RTC分辨率：1秒
　　支持功能：闰年校正、自动晶振校准、闹钟中断输出

CY14B101NA-ZS25XI的核心优势在于其集成的铁电存储器（F-RAM）技术，这种非易失性存储介质无需像传统EEPROM或NOR Flash那样进行擦除操作即可直接写入，极大地提升了写入速度并消除了写入延迟。F-RAM基于Pb(Zr,Ti)O3（PZT）材料的极化状态来存储数据，在断电后仍能长期保留信息，且具有极高的写入耐久性，可达10^14次以上，远高于普通EEPROM的10万至百万次限制。这意味着在频繁记录传感器数据、事件日志或配置参数的应用中，用户无需担心存储器磨损问题。此外，F-RAM的写入过程是即时完成的，不产生写入周期等待，避免了数据丢失风险，尤其适用于突发断电环境。
　　该器件的实时时钟模块采用外接32.768 kHz石英晶体振荡器作为时基源，内部集成了振荡器驱动电路、分频链路和时间寄存器组，能够精确跟踪时间和日期。芯片支持BCD格式的时间表示，并可通过I2C接口随时读取或设置当前时间。为了提高长期计时精度，CY14B101NA-ZS25XI内置了自动温补机制，可根据预设的温度系数对晶振频率偏差进行微调，减少因温度变化导致的时间漂移。典型条件下计时误差小于±3.5 ppm，相当于每年误差不超过2分钟，满足大多数高可靠性系统的需求。
　　另一个关键特性是双电源管理架构：主电源（VCC）用于正常操作，当主电源下降至阈值以下时，芯片自动切换到备用电池（连接于VBACKUP引脚）以维持RTC运行和内存内容。这一设计使得即使在系统完全断电的情况下，时间信息和重要数据依然得以保存。此外，该芯片提供可编程闹钟功能，可通过INT/SQW引脚输出中断信号，用于唤醒主控MCU或触发特定任务，增强了系统的自主性和响应能力。整体功耗极低，在备份模式下电流仅为600 nA左右，有利于延长电池寿命。

CY14B101NA-ZS25XI广泛应用于对时间记录精度和数据持久性要求较高的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、远程终端单元（RTU）、数据采集系统等设备中，用于记录事件发生的时间戳、故障日志、运行状态变更等关键信息。由于其出色的写入耐久性和抗干扰能力，特别适合部署在经常写入数据且环境恶劣的工厂环境中。
　　在医疗电子设备中，如病人监护仪、血糖仪、便携式诊断设备等，该芯片可用于存储患者测量数据、操作记录和校准参数，确保在设备关机或更换电池期间数据不会丢失，符合医疗设备对数据完整性和安全性的严格要求。
　　汽车电子方面，可用于车载黑匣子、远程信息处理（Telematics）系统、车载仪表盘中的里程与维护记录等功能模块，支持车辆在整个生命周期内的数据追踪与分析。同时，其宽温特性和高可靠性也满足汽车行业的工作条件需求。
　　此外，在智能电表、水表、气表等公用事业计量设备中，CY14B101NA-ZS25XI可提供精准的时间基准用于分时计费，并将历史用量数据持久化存储，防止因停电造成数据缺失。它也常见于高端消费电子产品，如数字录像机、安防摄像头、智能家居中枢等，用于生成准确的时间标签以便后续检索与审计。总之，任何需要“永不丢失”的时间+数据组合记录的场合，都是该芯片的理想应用场景。

RV3129-C7
　　DS3231
　　MCP7940N
　　PCF85263A
　　ISL1208