型号：CY14B101LA-ZS25XI
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品类型：NVSRAM（非易失性SRAM）
　　存储容量：1 Mbit (128K × 8)
　　供电电压：3.3V ± 10% (3.0V ~ 3.6V)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：44-pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit)
　　接口类型：并行异步SRAM接口
　　访问时间：25 ns
　　数据保持时间：典型值 > 10 年（断电状态下）
　　读/写耐久性：> 1,000,000 次
　　存储操作寿命：> 1,000,000 次（AutoStore 或 Software Store）
　　非易失性技术：SONOS（Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）
　　数据保存触发方式：AutoStore（电源监测）、Software Store（指令触发）
　　写保护功能：硬件WP引脚与软件写保护支持
　　封装尺寸：15.9 mm × 7.5 mm × 1.75 mm（典型）
　　无铅/符合RoHS：是

CY14B101LA-ZS25XI的核心特性之一是其基于SONOS技术的非易失性存储架构，该技术相较于传统的铁电或闪存方案具有更高的耐久性和更长的数据保持能力。SONOS结构通过在栅极堆叠中引入氮化物电荷俘获层，实现了低电压编程和高可靠性，同时避免了浮栅器件常见的电荷泄漏问题。这一设计使得CY14B101LA-ZS25XI能够在断电瞬间快速将SRAM中的数据安全写入非易失性存储单元，而无需外部电池或其他备用电源支持。此外，该器件内置精密的电源监控电路，能够在检测到VCC跌落到预设阈值（通常为~2.8V）时自动启动数据存储过程（AutoStore），从而防止因意外断电导致的数据丢失。
　　另一个关键特性是其完全兼容标准异步SRAM的操作时序和接口协议，这意味着用户可以在不修改现有硬件设计的前提下直接替换普通SRAM，显著降低了系统升级的复杂度和成本。CY14B101LA-ZS25XI支持字节写入、块写入以及全局存储等多种操作模式，并提供可配置的软件存储（Software Store）功能，允许系统通过特定指令序列主动触发数据保存动作，增强了应用灵活性。器件还具备写保护机制，包括硬件写保护引脚（WP）和软件命令锁，有效防止误写或恶意篡改关键数据。
　　在可靠性方面，CY14B101LA-ZS25XI经过严格测试，可在工业级温度范围内稳定运行，适用于恶劣环境下的长期部署。其高达100万次的存储耐久性远超传统EEPROM或NVRAM模块，适合频繁更新关键参数或日志记录的应用。同时，数据保持时间超过10年，确保即使在长时间断电后仍能准确恢复系统状态。该器件还符合RoHS环保标准，采用无铅封装，适用于全球范围内的商业与工业产品设计。

CY14B101LA-ZS25XI广泛应用于对数据完整性、实时性和可靠性有极高要求的嵌入式系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）和运动控制系统中，用于存储运行参数、校准数据和故障日志，确保在突发断电后仍能快速恢复生产流程。在金融设备中，如POS终端、ATM机和票据打印机，该芯片可用于保存交易记录、加密密钥和设备配置信息，保障金融交易的安全性和可追溯性。
　　通信基础设施也是其重要应用场景之一，例如在路由器、交换机和基站控制器中，CY14B101LA-ZS25XI可用于缓存网络配置、路由表项和操作日志，提升系统重启效率并减少服务中断时间。在医疗电子设备中，如监护仪、影像设备和便携式诊断仪器，该器件可用来保存患者数据、设备校准值和使用历史，满足医疗行业对数据可靠性的严格法规要求。
　　此外，在航空航天与国防系统中，由于其高抗干扰能力和宽温工作特性，CY14B101LA-ZS25XI被用于飞行控制单元、雷达信号处理模块和任务计算机中，执行关键状态的实时记录与断电保护。汽车电子领域中，尽管该器件主要面向工业级应用，但在车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）的边缘计算单元中也有潜在用途，尤其是在需要频繁写入且断电保存的场景下。总之，任何需要“像SRAM一样快，像Flash一样非易失”的存储解决方案，都是CY14B101LA-ZS25XI的理想应用方向。

CY14B101NA-ZS45XI
　　CY14B101QA-ZS45XI
　　FM20H06B