时间：2025/11/4 0:46:39
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CY14B101KA-ZS45XI是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的1 Mbit (128 K × 8)串行（SPI） nvSRAM（非易失性静态随机存取存储器）芯片。该器件结合了高速SRAM与非易失性存储技术，采用先进的SONOS（Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）技术实现数据的非易失性存储。nvSRAM允许用户在无需外部电池或超级电容的情况下，实现数据的永久保存，并在断电时自动将SRAM中的内容保存到非易失性存储单元中。该芯片支持标准的SPI通信接口，兼容3.3V电源供电，具备高达45 MHz的时钟频率，能够满足对读写速度和数据可靠性要求较高的工业、通信和汽车应用。CY14B101KA-ZS45XI集成了实时时钟（RTC）功能选项，并内置了数据轮询和自定时存储器保护机制，确保数据完整性。其封装形式为8引脚SOIC，具有良好的热稳定性和抗干扰能力，适用于宽温范围（-40°C至+85°C）下的工作环境。此外，该器件支持无限次的读写操作，并可实现百万次以上的存储器存储/恢复周期，极大地提升了系统在频繁数据记录场景下的可靠性与寿命。
容量：1 Mbit
组织结构：128 K × 8
接口类型：SPI
工作电压：3.3V ± 10%
时钟频率：最高45 MHz
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：8-SOIC
存储器类型：nvSRAM
非易失性技术：SONOS
写耐久性：10^6 次存储/恢复周期
数据保持时间：20年（典型值）
访问时间：45 ns
供电电流：典型值 15 mA（活动模式），< 1 μA（待机模式）
CY14B101KA-ZS45XI的核心特性之一是其基于SONOS技术的非易失性存储机制，这种技术相较于传统的EEPROM或Flash具有更快的写入速度和更高的耐久性。SONOS结构通过在栅极堆叠中使用氮化硅作为电荷俘获层，实现了低电压编程和高可靠性，避免了传统浮栅技术中存在的电荷泄漏问题。该器件支持两种数据存储方式：自动存储（AutoStore）和硬件存储（Hardware Store）。AutoStore功能可在检测到电源下降时自动触发，将SRAM中的数据备份至非易失性存储区，确保断电时数据不丢失；而Hardware Store则通过特定引脚（如HSB）手动触发存储操作，适用于需要精确控制存储时机的应用场景。
此外，该芯片还支持Sleep Mode低功耗模式，在此模式下电流消耗低于1 μA，显著延长了电池供电系统的续航时间。SPI接口完全兼容标准模式（Mode 0,0 和 Mode 1,1），支持主从配置，便于集成到现有嵌入式系统中。内部集成了上电复位（Power-On Reset, POR）电路，确保每次上电时系统处于已知状态，防止误操作。数据轮询标志位（RDY/SUSPEND）可用于查询存储操作是否完成，提升系统响应效率。CY14B101KA-ZS45XI还具备写保护功能，可通过软件或硬件方式启用，防止意外写入或擦除操作，增强数据安全性。其高可靠性设计使其能够在恶劣工业环境中稳定运行，包括强电磁干扰、温度波动和电源不稳定等条件。
CY14B101KA-ZS45XI广泛应用于需要高频数据记录与高可靠性的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、传感器模块和数据采集系统，用于实时保存工艺参数、设备状态和故障日志，确保在突发断电后仍能恢复关键信息。在通信设备中，该芯片可用于网络交换机、路由器和基站模块，用于存储配置信息、MAC地址表和运行日志，提升系统启动速度和稳定性。汽车电子系统中，该器件适用于ADAS（高级驾驶辅助系统）、车载信息娱乐系统和ECU（电子控制单元），用于记录车辆运行数据、用户设置和诊断信息，满足AEC-Q100可靠性标准的部分应用场景。此外，在医疗设备如监护仪、便携式诊断仪器中，CY14B101KA-ZS45XI可用于保存患者数据和校准参数，确保数据长期有效且不会因断电丢失。由于其无电池设计，减少了维护成本和环境风险，特别适合部署在难以更换电池或要求长寿命的远程监控系统中，例如智能电表、环境监测站和物联网终端设备。
CY14B101KA-ZS45XIT
FM25W0R4G
CY14MB061Q2-SX45SIT
S35MT01G
