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CXT5551 发布时间 时间:2024/9/9 14:35:24 查看 阅读:122

CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551型是一种NPN硅晶体管,通过外延平面工艺制造,环氧树脂模制在表面安装封装中,专为高压放大器应用而设计。

目录

参数

极性:NPN
  击穿电压(集电极-发射极):160 V
  集电极最大允许电流:600mA
  最小电流放大倍数(hFE):80
  最大电流放大倍数(hFE):300
  封装:SOT-89-3

特性

高电压应用中的开关和放大,例如电话
  低电流(最大600毫安)
  高电压(最大180伏)

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