CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551型是一种NPN硅晶体管,通过外延平面工艺制造,环氧树脂模制在表面安装封装中,专为高压放大器应用而设计。
极性:NPN 击穿电压(集电极-发射极):160 V 集电极最大允许电流:600mA 最小电流放大倍数(hFE):80 最大电流放大倍数(hFE):300 封装:SOT-89-3
高电压应用中的开关和放大,例如电话 低电流(最大600毫安) 高电压(最大180伏)