时间：2025/8/18 0:30:34
阅读：26
CXQ72020Q-6是一种功率场效应晶体管（MOSFET），主要设计用于高功率和高频应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有优良的导通电阻和开关特性，适用于电源管理、电机控制、电动汽车和工业自动化等多个领域。其封装形式为双列直插式（DIP），具有良好的散热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。
类型：功率MOSFET
封装形式：TO-247
最大漏极电流：200A
最大漏极-源极电压：200V
导通电阻：Rds(on) ≤ 0.025Ω
栅极电压范围：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247AD
功耗：500W
开关时间：导通时间约50ns，关断时间约100ns
CXQ72020Q-6具有优异的电气性能和可靠性，能够在高电压和大电流条件下稳定工作。其低导通电阻减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件的快速开关特性使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和逆变器。其TO-247封装形式提供了良好的散热性能，有助于维持器件在高功率应用中的稳定性。该MOSFET还具备较强的抗过载能力和短路保护功能，适用于恶劣的工作环境。此外，CXQ72020Q-6的栅极驱动电压范围较宽，使其能够与多种控制电路兼容。
CXQ72020Q-6广泛应用于高功率电源系统、电机驱动器、电动汽车充电器、工业变频器以及太阳能逆变器等设备。在这些应用中，该MOSFET能够提供高效的功率转换和稳定的性能。此外，由于其优异的开关特性和高耐压能力，CXQ72020Q-6也常用于高频开关电源和不间断电源（UPS）系统中。
IXFN200N20T, FDPF200N20F
