类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：170A（在25°C）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 4.7mΩ（在 Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.1V 至 3.5V（在 Id=250μA）
　　输入电容（Ciss）：约 2900pF（在 Vds=20V）

CXM4017R-T6 MOSFET 具备多项优良特性，使其在各种高功率应用中表现出色。
　　首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件的最大导通电阻为 4.7mΩ，这在同类产品中具有竞争力，能够有效降低功率损耗，减少热量产生。
　　其次，该 MOSFET 支持高达 170A 的连续漏极电流，适合高电流应用。在高电流工作条件下，其热稳定性和可靠性得到了优化，能够承受较大的负载。
　　此外，CXM4017R-T6 采用了 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具备良好的热管理性能和机械稳定性，适用于自动化生产和高密度 PCB 设计。该封装形式也有助于提高散热效率，延长器件寿命。
　　该器件的栅极驱动电压范围为 10V 至 20V，支持快速开关操作，减少开关损耗。其输入电容（Ciss）约为 2900pF，在高速开关应用中表现出良好的响应特性。
　　最后，CXM4017R-T6 具有较宽的工作温度范围（-55°C 至 150°C），适用于各种恶劣环境条件，如工业控制、电源模块、汽车电子等领域。

CXM4017R-T6 主要应用于需要高效率、高功率密度的电力电子系统中。
　　首先，该 MOSFET 常用于同步整流器和 DC-DC 转换器中，作为主开关或同步整流开关。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于服务器电源、电信电源、笔记本电脑适配器等高效率电源系统。
　　其次，CXM4017R-T6 可用于电池管理系统和负载开关，用于控制大电流负载的通断。其高可靠性和良好的热管理性能使其在电动汽车、储能系统和工业设备中得到广泛应用。
　　此外，该器件也常用于电机驱动和逆变器系统，作为功率开关元件。在太阳能逆变器和 UPS（不间断电源）系统中，CXM4017R-T6 能够提供高效的功率转换，提升系统整体性能。
　　在汽车电子应用中，CXM4017R-T6 可用于车载充电器、DC-DC 转换器和电机控制系统，满足汽车电子对高可靠性和长寿命的要求。

CSD17556Q5B、CXM4017R-T、CXM4017R-E、SiR178DP-T1-GE3、IPB017N04LC G