CXM3815ER 时间：2025/8/18 16:36:14 阅读：18

CXM3815ER 是一款由COSMO（科思电子）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用和功率转换领域。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高效率和优异的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、同步整流、电池管理系统以及电机控制等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：15mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

CXM3815ER具有多项突出性能特点。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。其次，该MOSFET采用高密度沟槽技术，使得在相同芯片面积下实现更高的电流承载能力，适用于高功率密度的设计需求。此外，CXM3815ER具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，增强了器件的可靠性与寿命。
　　该器件还具有快速开关特性，能够支持高频工作，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而实现更紧凑的电源设计。其TO-252封装结构具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，提升了生产效率和装配的可靠性。此外，CXM3815ER具备较高的雪崩能量承受能力，能够在异常工作条件下提供额外的安全保障，从而提升系统的鲁棒性。

应用

CXM3815ER广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器和负载开关中，CXM3815ER凭借其低导通电阻和高效率表现优异。在工业自动化和电机控制领域，该器件可用于驱动中小型功率电机，提供稳定的开关性能。此外，该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS），例如在电动工具、电动自行车和储能系统中作为主开关或充放电控制开关。在通信设备和服务器电源中，CXM3815ER同样表现出色，能够满足高效率、高稳定性和小体积设计的需求。