时间：2025/8/18 19:56:57
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CXM3651XR 是一款由 Cissoid 公司设计和制造的高温、高可靠性、双通道隔离式 IGBT/SiC 栅极驱动器芯片。该芯片专为在极端温度和恶劣环境下运行而设计，适用于混合动力汽车、电动汽车、工业电机驱动以及其他高温电力电子应用。CXM3651XR 采用了 Cissoid 的专有高温硅技术，能够在高达 125°C 的环境温度下可靠运行。其双通道设计支持同步驱动两个功率开关器件，具有出色的抗干扰能力和稳定性。
供电电压：15V ~ 30V
输出驱动电流：±1.5A（典型值）
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
隔离耐压：5kVRMS（符合 UL 1577 标准）
传播延迟：150ns（最大值）
共模瞬态抗扰度（CMTI）：>100kV/μs
输出高/低电平电压：18V / 0V（典型）
封装形式：24 引脚 SSOP（增强型散热）
CXM3651XR 芯片具备多项先进的技术特性，使其在高可靠性应用中表现出色。首先，其集成的双通道隔离式栅极驱动架构，使得该芯片能够同时驱动两个独立的功率开关器件（如 IGBT 或 SiC MOSFET），非常适合半桥或全桥拓扑结构使用。其次，芯片内置的高隔离等级（5kVRMS）增强了系统在高电压环境下的安全性，同时避免了主控电路与功率电路之间的干扰。此外，CXM3651XR 的共模瞬态抗扰度（CMTI）指标超过 100kV/μs，确保在高 di/dt 环境下也能稳定运行。芯片的传播延迟极低，最大仅为 150ns，这有助于提高开关控制的精度和效率。CXM3651XR 还具备欠压锁定（UVLO）保护功能，当供电电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止功率器件误动作。此外，该芯片的输出驱动能力高达 ±1.5A，能够有效驱动大功率 IGBT 或 SiC 器件，缩短开关时间，降低开关损耗。其封装形式为 24 引脚 SSOP，并带有增强型散热设计，适应高温工况下的长期稳定运行。
值得一提的是，CXM3651XR 采用了 Cissoid 的高温硅工艺技术，可在高达 125°C 的环境下正常工作，特别适合应用于发动机舱内或高环境温度的工业系统中。这种高热稳定性也减少了对复杂冷却系统的需求，降低了整体系统设计的复杂性和成本。最后，该芯片具有良好的抗电磁干扰（EMI）性能，适用于电磁环境复杂的工业和汽车应用场合。
CXM3651XR 主要应用于需要高温稳定性和高可靠性的电力电子系统中。例如，它广泛用于混合动力汽车和电动汽车的逆变器系统中，作为 IGBT 或 SiC 功率模块的栅极驱动器。此外，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电能质量调节装置中也有广泛应用。由于其出色的隔离性能和抗干扰能力，该芯片也非常适合用于需要高安全等级的工业自动化控制系统。在航空电子和轨道交通等对可靠性要求极高的领域，CXM3651XR 同样是一个理想的选择。该芯片的高温耐受能力使其在一些极端环境（如油田勘探设备、高温测试仪器）中也表现出色。
Si8235BBC-C-ISR, ADuM4223-1BRZ, NCD57000DR2G
