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CXM3641ER-T2 发布时间 时间:2025/8/18 19:32:26 查看 阅读:7

CXM3641ER-T2 是一款由 Comchip Technology 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高效率的特点,适用于高频率开关操作。该型号采用 SOT-23 封装,体积小巧,便于在紧凑型电路设计中使用。

参数

类型: N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电流(ID): 100mA
  最大漏源电压(VDS): 30V
  最大栅源电压(VGS): ±20V
  导通电阻 Rds(on): 3.5Ω @ VGS=10V
  功率耗散(PD): 300mW
  工作温度范围: -55°C 至 150°C
  封装类型: SOT-23

特性

CXM3641ER-T2 MOSFET 具备多项优异特性,首先是其低导通电阻,使其在导通状态下具有较低的功率损耗,从而提高系统效率。其次,该器件采用先进的沟槽式结构设计,使得其在高频开关应用中表现出色,适用于 DC-DC 转换器、同步整流等高频场合。此外,其 SOT-23 小型封装不仅节省空间,还便于表面贴装,提高了生产效率。
  该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持 4.5V 至 20V 的 VGS 电压,兼容多种驱动电路设计。其高耐压特性(VDS 最大 30V)使其适用于多种中低压功率控制应用。此外,CXM3641ER-T2 具备良好的热稳定性,在高负载条件下也能维持稳定的性能。
  该 MOSFET 还具备较低的输入电容(Ciss)和开关损耗,使其在快速开关应用中表现出色。同时,器件的可靠性高,适用于工业控制、便携式设备、电源管理系统等对稳定性要求较高的场合。

应用

CXM3641ER-T2 广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于:小型电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、负载开关、电机驱动电路、LED 照明调光控制、工业自动化设备及便携式电子产品。其低功耗、高效率和小型封装的特性,使其特别适合用于空间受限且需要高效能的便携设备中。

替代型号

CXM3641ER-T2 可以考虑的替代型号包括 2N7002、BSS138、FDV301N 和 Si2302DS。这些型号在性能参数、封装形式和应用场景上与 CXM3641ER-T2 具有较高兼容性,使用前建议查阅具体数据手册以确认匹配度。

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