类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：0.3A
　　最大功耗：3W
　　最大工作温度：150℃
　　封装类型：表面贴装(SMD)
　　工作频率范围：1MHz至6GHz
　　输出功率：28dBm
　　增益：18dB
　　噪声系数：0.65dB
　　漏源击穿电压：12V
　　栅极电压范围：-15V至+15V

CXM3633ER-TR晶体管的主要特性包括卓越的线性度和低失真性能，这使其在复杂的调制信号处理中非常有用。该器件具有宽广的工作频率范围，能够支持从1MHz到6GHz的信号放大，适用于多种无线通信标准。
　　此外，该晶体管具有低噪声系数（仅为0.65dB），这对于需要高灵敏度的接收器前端设计至关重要。它还具备较高的输出功率能力，能够提供高达28dBm的输出功率，满足许多高性能射频系统的需求。
　　CXM3633ER-TR采用表面贴装封装，便于自动化装配和高密度电路板布局。该器件的设计确保了在高温环境下的可靠运行，最大工作温度可达150℃。同时，其栅极电压范围较宽，从-15V到+15V，增加了设计灵活性和适应性。
　　由于其出色的射频性能和可靠性，CXM3633ER-TR广泛应用于无线基站、微波通信设备、测试仪器和其他高性能射频系统。

CXM3633ER-TR晶体管常用于各种高性能射频和微波系统中，包括无线通信基站、微波链路、测试与测量设备以及雷达系统。其高线性度和低失真特性使其非常适合用于需要处理复杂调制信号的发射机前端放大器。此外，该器件也常用于需要低噪声和高灵敏度的接收器电路，如卫星通信系统和高频数据传输设备。
　　在测试设备中，CXM3633ER-TR可用于构建高性能的射频信号发生器和频谱分析仪。在雷达系统中，它可用于放大高频信号，提高探测距离和分辨率。由于其宽频带特性，该晶体管也适用于多频段或多标准通信设备的设计。

CXM3633ER-TR的替代型号包括CXM3633ES-TR和CXM3633FS-TR，它们具有相似的电气特性和封装形式，适用于不同的功率和频率需求。