CXM3569XR-T9 时间：2025/8/18 14:50:25 阅读：1

CXM3569XR-T9 是一款由 Comchip Technology 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于需要高效功率转换的电路中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高开关速度，适用于 DC-DC 转换器、电源管理和负载开关等多种应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流 (Id)：60A
　　漏源电压 (Vds)：30V
　　栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：10.5mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散 (Pd)：134W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

CXM3569XR-T9 功率 MOSFET 具有低导通电阻的特性，使其在高电流应用中表现出色，减少了功率损耗和热量产生。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，不仅提高了器件的导电性能，还增强了开关速度，使其适用于高频开关应用。此外，CXM3569XR-T9 的最大漏极电流可达 60A，能够在高负载条件下稳定工作。其栅极驱动电压范围为 ±20V，具有良好的栅极稳定性，防止过压损坏。器件的漏源电压为 30V，适合多种中等电压应用。TO-252 封装形式提供了良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性。在高温环境下，CXM3569XR-T9 依然能够保持稳定的性能，适用于工业级和汽车电子等要求较高的应用场景。
　　CXM3569XR-T9 还具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了整体系统的效率。由于其低栅极电荷（Qg），该器件在高频应用中表现优异，能够显著降低开关过程中的能量损耗。同时，其反向恢复时间较短，适用于需要高效率的同步整流电路。该 MOSFET 在设计上优化了热阻，提高了热稳定性，确保在极端条件下仍能正常工作。这些特性使其成为电源管理、电池供电系统、电机控制等应用的理想选择。