CXM3555UR-T2 时间：2025/8/18 9:38:36 阅读：27

CXM3555UR-T2是一款由Comchip Technology生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效率的功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合在电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等场景中使用。CXM3555UR-T2采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：6A
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：12nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

CXM3555UR-T2 MOSFET采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了非常低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。该器件的高电流承载能力（高达6A）使其适用于中高功率应用，如同步整流、负载开关和电池管理系统。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，从-55°C到150°C。这使得它在工业级和汽车电子应用中具有广泛的适用性。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的逻辑电平驱动，便于与各种控制器或驱动器配合使用。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具备良好的散热性能，有助于提高器件在高电流工作状态下的稳定性。此外，该封装也便于自动化生产和回流焊工艺。
　　总体而言，CXM3555UR-T2是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种电源管理和功率控制应用，具有优异的导通性能和耐用性。

应用

CXM3555UR-T2广泛应用于各类电源管理系统和功率控制电路中。例如，在DC-DC转换器中，它可用作同步整流器或主开关，以提高转换效率并减少热量产生。在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池充放电控制和保护电路，确保系统的安全运行。此外，它还可用于负载开关、电机驱动、LED驱动以及各种需要高效功率控制的场合。
　　由于其小型化的SOT-23封装，该器件也特别适合空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和便携式医疗设备。在工业自动化和汽车电子领域，CXM3555UR-T2也可用于驱动继电器、传感器和执行器等负载。