时间：2025/8/18 16:51:04
阅读：5
CXM3543BER-T2 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器和电池供电设备等场景中。采用 TSSOP 封装（超薄小外形封装），具有较小的封装尺寸和良好的热性能，适合在空间受限的电路设计中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：4.3A
功耗（Ptot）：1.4W
导通电阻（RDS(on)）：125mΩ @ VGS=4.5V；160mΩ @ VGS=2.5V
阈值电压（VGS(th)）：0.65V ~ 1.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSSOP
CXM3543BER-T2 是一款高性能、低导通电阻的 N 沟道 MOSFET，适用于中低功率应用。其低 RDS(on) 特性可有效降低导通损耗，提高系统效率。
该器件的栅极驱动电压范围宽（支持 2.5V 至 4.5V），兼容多种控制器和驱动器，便于在不同系统中使用。
其采用的 TSSOP 封装具有良好的热管理能力，能够在高电流负载下保持稳定运行。
此外，该 MOSFET具备较高的耐用性和可靠性，能够在恶劣环境条件下长期工作，适用于工业控制、便携设备和汽车电子等多种应用场景。
CXM3543BER-T2 常用于以下应用：
? 电源管理系统中的负载开关
? DC-DC 转换器和同步整流电路
? 电池供电设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）
? 电机驱动和马达控制
? 工业自动化设备和传感器模块
? 汽车电子系统中的低压功率管理
CXM3543BER-T2 的替代型号包括：SI2302DS-T1-GE3、FDN340P、AO3400A、DMG3415V 和 BSS138K。这些器件在参数性能和封装形式上与 CXM3543BER-T2 相似，可根据具体应用需求进行替换。
