CXM3520BER 是一款由 IXYS 公司生产的功率 MOSFET 晶体管,广泛应用于需要高效功率转换的电路中。这款器件采用了先进的沟道技术,提供了优异的导通性能和快速的开关特性。CXM3520BER 通常采用 TO-220AB 封装,适用于各种电源管理和电机控制应用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):200V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):0.085Ω @ Vgs = 10V
功率耗散(Pd):125W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220AB
CXM3520BER 具备低导通电阻的特性,这意味着在导通状态下,器件的电压降较小,从而减少了功率损耗并提高了整体效率。该器件的快速开关特性使其适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、开关电源和电机驱动器。此外,CXM3520BER 还具备良好的热稳定性,能够在高功率条件下保持稳定运行。
这款 MOSFET 的栅极驱动设计允许其在较宽的栅极电压范围内工作,提高了设计的灵活性。同时,其高雪崩能量耐受能力确保了在突发负载条件下器件的可靠性。CXM3520BER 的封装设计也优化了散热性能,使得器件能够在较高的环境温度下正常工作。
CXM3520BER 广泛应用于多个领域,包括但不限于电源管理系统、电机控制、DC-DC转换器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和工业自动化设备。其高效率和快速开关特性使其成为开关电源设计中的理想选择。在电机控制应用中,该器件能够提供稳定的电流控制,确保电机运行的平稳性。此外,在太阳能逆变器中,CXM3520BER 可用于将直流电转换为交流电,从而提高能源转换效率。
IXFH18N20P, IRFPG50, STP18NF20