CXM3520BER 时间：2025/8/18 17:45:04 阅读：30

CXM3520BER 是一款由 IXYS 公司生产的功率 MOSFET 晶体管，广泛应用于需要高效功率转换的电路中。这款器件采用了先进的沟道技术，提供了优异的导通性能和快速的开关特性。CXM3520BER 通常采用 TO-220AB 封装，适用于各种电源管理和电机控制应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：18A
　　导通电阻(Rds(on))：0.085Ω @ Vgs = 10V
　　功率耗散(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

CXM3520BER 具备低导通电阻的特性，这意味着在导通状态下，器件的电压降较小，从而减少了功率损耗并提高了整体效率。该器件的快速开关特性使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、开关电源和电机驱动器。此外，CXM3520BER 还具备良好的热稳定性，能够在高功率条件下保持稳定运行。
　　这款 MOSFET 的栅极驱动设计允许其在较宽的栅极电压范围内工作，提高了设计的灵活性。同时，其高雪崩能量耐受能力确保了在突发负载条件下器件的可靠性。CXM3520BER 的封装设计也优化了散热性能，使得器件能够在较高的环境温度下正常工作。

应用

CXM3520BER 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、电机控制、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和工业自动化设备。其高效率和快速开关特性使其成为开关电源设计中的理想选择。在电机控制应用中，该器件能够提供稳定的电流控制，确保电机运行的平稳性。此外，在太阳能逆变器中，CXM3520BER 可用于将直流电转换为交流电，从而提高能源转换效率。