类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 7.5mΩ @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

CXL1507N MOSFET具备多项优良特性，适用于多种电源管理应用。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件的最大漏极电流可达12A，支持在较高功率条件下稳定运行，适用于电源转换器、负载开关和电机驱动等场景。
　　其60V的漏源电压（VDS）额定值使其能够承受一定的电压应力，适用于中高压电源系统。栅源电压容限为±20V，增强了其在不同驱动条件下的可靠性，避免栅极过压损坏。
　　采用TO-252（DPAK）封装形式，CXL1507N具备良好的散热性能，有助于在高电流工作条件下保持较低的温度，提高器件的稳定性和寿命。该封装也便于焊接和安装，适合表面贴装工艺。
　　此外，CXL1507N具有宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C），可在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品等多种应用场景。

CXL1507N MOSFET广泛应用于各类功率电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它可作为主开关或同步整流器，提高电源效率并减小体积。在DC-DC转换器中，CXL1507N用于高效地将输入电压转换为不同等级的输出电压，适用于电池供电设备和电源适配器。
　　在电机驱动电路中，CXL1507N可用于控制直流电机或步进电机的运行，实现高效、可靠的功率输出。此外，它也可用于负载开关电路中，控制高电流负载的通断，如LED照明、加热元件和风扇等。
　　由于其良好的热稳定性和较高的电流容量，CXL1507N还适用于电源管理系统、工业自动化设备和车载电子设备等对可靠性要求较高的应用场合。

SiSS150DN, IRLU8726, FDS4410, AO4407