CXK5971AM-35 是一款由国产厂商设计和生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源和高电流负载控制等领域。这款MOSFET属于N沟道增强型晶体管,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和高电流承载能力的特点,适用于需要高效能和高可靠性的电子系统中。该器件通常采用TO-252(DPAK)封装形式,具有良好的热性能和机械稳定性。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(Id):71A
最大漏-源电压(Vds):100V
最大栅-源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):≤8.5mΩ(典型值)
最大功耗(Pd):160W
工作温度范围:-55℃~+175℃
CXK5971AM-35 具有多个显著的电气和热性能优势,首先是其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高耐压能力(100V)使其适用于多种中高功率应用场景,例如DC-DC转换器、电机控制器和电池管理系统。
此外,该器件的高电流承载能力(71A)确保其在高负载条件下依然稳定运行,适用于要求严苛的工业和汽车电子应用。其采用的TO-252封装具备良好的散热性能,能够有效将热量传导至PCB,从而提高整体系统的热稳定性。
在可靠性方面,CXK5971AM-35具有宽的工作温度范围(-55℃至+175℃),可在恶劣环境中正常工作。其栅极驱动电压范围较宽,兼容常见的10V和12V驱动电路,便于与各种控制IC配合使用。
该MOSFET广泛应用于各类功率电子设备中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统(BMS)、负载开关以及工业自动化控制系统等。在汽车电子领域,它常用于车载充电系统、电动助力转向(EPS)模块和电池保护电路。
由于其低导通电阻和高电流能力,CXK5971AM-35 特别适合用于需要高效能和高可靠性的设计,如服务器电源、通信设备电源模块以及新能源应用中的功率控制部分。其优异的热性能也使其成为紧凑型高功率密度设计中的理想选择。
SiR100N10, APM4953, IXFN72N10