类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：71A
　　最大漏-源电压（Vds）：100V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤8.5mΩ（典型值）
　　最大功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55℃～+175℃

CXK5971AM-35 具有多个显著的电气和热性能优势，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高耐压能力（100V）使其适用于多种中高功率应用场景，例如DC-DC转换器、电机控制器和电池管理系统。
　　此外，该器件的高电流承载能力（71A）确保其在高负载条件下依然稳定运行，适用于要求严苛的工业和汽车电子应用。其采用的TO-252封装具备良好的散热性能，能够有效将热量传导至PCB，从而提高整体系统的热稳定性。
　　在可靠性方面，CXK5971AM-35具有宽的工作温度范围（-55℃至+175℃），可在恶劣环境中正常工作。其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于与各种控制IC配合使用。

该MOSFET广泛应用于各类功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）、负载开关以及工业自动化控制系统等。在汽车电子领域，它常用于车载充电系统、电动助力转向（EPS）模块和电池保护电路。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，CXK5971AM-35 特别适合用于需要高效能和高可靠性的设计，如服务器电源、通信设备电源模块以及新能源应用中的功率控制部分。其优异的热性能也使其成为紧凑型高功率密度设计中的理想选择。

SiR100N10, APM4953, IXFN72N10