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CXK5864PN-12L 发布时间 时间:2025/8/18 12:15:41 查看 阅读:21

CXK5864PN-12L 是一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为8K x 8位,采用高速CMOS工艺制造,适用于需要快速数据存取的场合。该芯片具有低功耗、高速访问时间和宽工作电压范围等特点,广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子和计算机外设等领域。

参数

类型:SRAM(静态随机存取存储器)
  容量:8K x 8位(64Kbit)
  电源电压:4.5V 至 5.5V
  访问时间:12ns
  工作温度范围:0°C 至 70°C
  封装类型:28引脚 PDIP
  输入/输出电平:TTL兼容
  最大工作电流:100mA
  待机电流:10mA

特性

CXK5864PN-12L 是一款基于CMOS工艺的高性能SRAM芯片,具有以下显著特性:
  首先,它的访问时间仅为12纳秒,这意味着它可以提供非常快速的数据读写性能,适用于需要高速数据处理的应用场景,如高速缓存或实时控制系统。
  其次,该芯片采用低功耗设计,在待机模式下电流消耗仅为10mA,有助于降低整体系统功耗,延长设备使用寿命。
  再者,其工作电压范围为4.5V至5.5V,具备较好的电压适应性,适用于多种电源设计环境,提高了系统的稳定性和兼容性。
  此外,该芯片封装为28引脚PDIP(塑料双列直插式封装),适合通孔焊接,便于在原型设计和工业应用中使用。
  最后,该芯片的TTL兼容输入/输出电平使其可以方便地与多种微处理器和控制器接口连接,无需额外的电平转换电路。

应用

CXK5864PN-12L 因其高速存取能力和低功耗特性,被广泛应用于多个领域。在工业自动化系统中,它常用于缓存数据或作为临时存储器使用,以提高系统响应速度。在通信设备中,该SRAM芯片可用于缓冲高速传输的数据流,确保数据的实时处理和传输稳定性。在消费电子产品中,例如智能家电或便携式设备中,该芯片用于存储运行时的临时数据,从而优化系统性能并减少功耗。此外,在计算机外围设备、测试测量仪器以及嵌入式系统中,CXK5864PN-12L 也常被用作程序存储器或高速缓存模块。

替代型号

CY62148EDE-45ZSXC、IS62LV256-45TLI、IDT71V016SA-10P、AS6C6264-55PCN-B

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