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CXK58267AM-10L-T6 发布时间 时间:2025/8/18 0:58:39 查看 阅读:7

CXK58267AM-10L-T6是一款高速静态随机存取存储器(SRAM),由Cypress Semiconductor制造。这款SRAM芯片采用先进的CMOS技术,提供高性能和低功耗的特性,适用于需要快速数据存取的工业和通信设备。其封装形式为TSOP(薄型小外形封装),适合在空间受限的环境中使用。

参数

类型:SRAM
  容量:256K x 16位
  速度:10ns访问时间
  电源电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  数据宽度:16位
  工作模式:异步

特性

CXK58267AM-10L-T6是一款高性能的异步SRAM,能够在不需要外部时钟信号的情况下工作,使其适用于多种嵌入式系统和实时应用。该芯片具有非常快的访问速度,10ns的访问时间确保了数据可以被快速读取和写入。芯片内部采用CMOS技术,使其在保持高速的同时具备较低的功耗特性。此外,其TSOP封装设计有助于节省PCB空间,并提供良好的散热性能,适合在紧凑型电子设备中使用。工业级温度范围确保该芯片在恶劣环境下也能稳定运行,广泛用于工业控制、网络设备、电信基础设施等对可靠性要求较高的场合。

应用

该芯片广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的场景,如路由器、交换机、工业控制设备、测试仪器、医疗设备以及嵌入式系统等。由于其异步接口的灵活性,它可以轻松集成到多种系统架构中。

替代型号

CY62167VLL-10ZSXC、IS62WV25616EDBLL-10BLI、IDT71V124SA10PFG、AS7C25616A-10BCI-TR

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