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CXK58257M-70LA 发布时间 时间:2025/8/18 5:30:00 查看 阅读:17

CXK58257M-70LA 是一款由 Cypress Semiconductor(现为 Infineon Technologies)制造的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为 256K 位(32K x 8),采用高速访问时间设计,适用于需要快速数据访问和低功耗的应用场景。该器件采用 28 引脚 SOIC 或 TSOP 封装,适合嵌入式系统、通信设备和工业控制设备。

参数

容量:256K 位(32K x 8)
  访问时间:70ns
  电源电压:3.3V 或 5V(取决于具体版本)
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装类型:28 引脚 SOIC、TSOP

特性

CXK58257M-70LA 是一款高性能异步SRAM,其访问时间为70ns,具备快速读写能力,适用于需要实时数据处理的应用场景。
  该芯片采用低功耗设计,在待机模式下电流消耗极低,适合电池供电或对功耗敏感的设备使用。
  其支持3.3V或5V供电(具体取决于版本),兼容多种系统电压设计,增强了在不同系统架构中的适应性。
  该SRAM具备宽温度范围支持,通常为-40°C至+85°C,适用于工业控制、通信设备和车载电子等对温度稳定性要求较高的环境。
  封装形式包括28引脚SOIC和TSOP,适合高密度PCB布局,并支持表面贴装工艺,提高了制造和装配的灵活性。
  此外,该器件具备高可靠性和抗干扰能力,确保在复杂电磁环境下稳定运行,适用于工业自动化、网络设备和嵌入式系统等关键应用。

应用

CXK58257M-70LA 适用于多种需要高速缓存和低功耗存储的场景,包括嵌入式系统中的临时数据存储、工业控制器中的缓冲存储器、通信设备中的数据交换缓存、汽车电子中的实时数据处理模块,以及网络设备和测试仪器中的高速存储扩展等应用场景。

替代型号

CY62148EDEI-45LKXI-70

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