时间：2025/8/18 10:56:11
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CXK58257M-12LL是一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由Cypress Semiconductor（现为Infineon Technologies）生产。该芯片采用高性能CMOS技术制造，提供快速的读写操作和低功耗特性，适用于需要高速数据存储和访问的系统应用。
容量：8K x 8位
电压：5V
访问时间：12ns
封装类型：32引脚 TSOP
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装尺寸：8mm x 13.4mm
输入/输出电平：TTL兼容
功耗：典型工作电流约160mA
CXK58257M-12LL具备高速访问时间，仅需12ns即可完成数据读取操作，适用于对响应时间要求严格的应用。其CMOS技术确保了低静态功耗，同时具备良好的抗干扰能力和稳定性。该SRAM芯片支持异步读写操作，无需时钟信号控制，提高了使用的灵活性。
此外，该器件采用了TTL电平兼容设计，能够方便地与多种逻辑电路连接。其TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用，并提升高频工作下的信号完整性。工作温度范围宽广，适合在工业级环境下运行，保证了在各种应用条件下的可靠性。
CXK58257M-12LL广泛应用于需要快速数据存储的嵌入式系统、网络设备、工业控制系统、测试仪器、图像处理设备以及其他高性能计算设备中。由于其高速度和低功耗的特点，该芯片特别适合用于缓存、缓冲存储器或高速数据缓冲区的实现。
CY62148E-NLLB, CY7C1041CV33-12BAI, IS61LV25616A-12B4I
