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CXK58257CYM-70LLX-T6 发布时间 时间:2025/8/18 20:40:16 查看 阅读:27

CXK58257CYM-70LLX-T6 是一款由 CXEMC(长鑫存储)制造的 CMOS 异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有高速存取时间、低功耗以及宽温度范围等优点,适用于各种嵌入式系统、工业控制设备和通信设备等对性能和稳定性有较高要求的应用场景。该芯片采用 TSOP 封装形式,便于在高密度 PCB 板上安装和使用。

参数

容量:256K x 8 位
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  访问时间:70ns
  封装类型:TSOP
  引脚数量:52
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  输入/输出电平:CMOS 兼容
  最大工作频率:约 14MHz(取决于访问时间)
  封装尺寸:根据具体封装标准定义
  最大静态电流:10mA(典型值)
  最大工作电流:180mA(典型值,取决于频率)

特性

CXK58257CYM-70LLX-T6 是一款高性能的异步 SRAM 芯片,其主要特性包括高速访问时间、低功耗设计以及宽电压和温度适应范围。这款芯片的存取时间仅为 70ns,可支持高达 14MHz 的工作频率,适用于需要快速数据访问的应用场景。同时,其宽电压范围(2.3V 至 3.6V)确保了在不同电源条件下的稳定运行,适合用于电池供电设备和工业控制系统。
  此外,CXK58257CYM-70LLX-T6 采用 CMOS 工艺制造,具有较低的静态电流,典型值仅为 10mA,从而有效降低了整体功耗。该芯片还支持待机模式,在未进行读写操作时可显著减少电流消耗,提高系统能效。
  该器件的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适用于工业级环境条件,具有良好的可靠性和稳定性。TSOP 封装设计有助于提高封装密度,并降低引线电感,适合高频应用环境。整体而言,这款 SRAM 芯片在性能、功耗和可靠性方面均表现出色,是多种嵌入式系统和工业设备的理想选择。

应用

CXK58257CYM-70LLX-T6 适用于多种需要高速、低功耗存储器的应用场景,包括但不限于嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备、数据采集模块、智能仪表、图像处理设备以及汽车电子系统。其宽电压和宽温度范围使其特别适合在恶劣环境条件下运行的设备中使用,如工业自动化控制器、远程通信基站、安防监控系统以及车载信息娱乐系统等。

替代型号

ISSI IS61LV256AL-70BLLI-S2、Microchip 23LCV512-I/P、Cypress CY62148EDEI-45BV、Renesas IDT71V016SA70B

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