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CXK58257BM-10L 发布时间 时间:2025/8/18 3:09:35 查看 阅读:10

CXK58257BM-10L 是一款由Cypress Semiconductor制造的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有高速访问时间和低功耗特性,适用于需要快速数据访问和可靠性能的应用场合。该器件采用标准的CMOS工艺制造,确保了在各种工作环境下的稳定性和耐用性。

参数

类型:SRAM
  容量:32K x 8 位
  供电电压:5V
  访问时间:10ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据保持电压:2V(最小)

特性

CXK58257BM-10L 是一款高性能SRAM,具有10ns的访问时间,使其适用于需要快速数据处理的应用。该芯片支持低待机电流,有助于在不使用时降低功耗。此外,其宽广的工作温度范围使其适用于工业和恶劣环境条件。该器件采用CMOS工艺制造,提供了高噪声免疫力和稳定的性能。芯片的TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用,并提高了机械可靠性。此外,CXK58257BM-10L 还支持数据保持模式,在电源电压降低至2V时仍能保持存储数据不丢失,这在系统断电或电源故障时特别有用。

应用

该芯片广泛应用于需要高速存储器的工业控制系统、通信设备、网络路由器、测试设备以及嵌入式系统中。其可靠性和高速特性也使其成为缓存、临时数据存储以及需要快速存取的嵌入式应用的理想选择。

替代型号

CY62148VLL-45ZSXC, IDT71V416S10PF-BC, ISSI IS62WV5128BLL-55Z

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