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CXK581001M-70L 发布时间 时间:2025/8/18 19:41:32 查看 阅读:12

CXK581001M-70L 是一款由Cypress Semiconductor(赛普拉斯半导体)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为128K x 8位,总计1兆位(1Mbit)。该器件以其高速访问时间和低功耗特性广泛应用于通信、工业控制、网络设备和消费类电子产品中。该芯片采用CMOS技术制造,具备高可靠性和稳定性,适用于各种嵌入式系统。

参数

容量:128K x 8位
  访问时间:70ns
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据宽度:8位
  地址线数量:17条(A0-A16)
  封装尺寸:54-TSOP
  最大工作频率:约14MHz
  功耗(典型值):180mA(工作模式)、10mA(待机模式)

特性

CXK581001M-70L 的主要特性之一是其高速访问能力,70ns的访问时间使其适用于对时序要求较高的系统设计。该SRAM芯片采用低功耗CMOS工艺,显著降低了静态电流,从而在待机状态下保持极低的功耗,非常适合电池供电或节能型应用。此外,该芯片支持异步操作,能够灵活地与多种微处理器和控制器接口连接,无需严格的时钟同步要求。其54引脚TSOP封装设计有助于节省PCB空间并提高布线效率。该器件还具有宽工作温度范围,适用于工业级环境,确保在恶劣条件下依然稳定运行。
  CXK581001M-70L 支持全地址解码,确保所有存储地址均可被访问,同时具备双向数据总线设计,简化了与主控芯片的数据交换。其输出使能(OE)和写使能(WE)信号控制机制允许用户精确控制读写操作,提高系统的可控性和稳定性。该芯片还配备片选信号(CE),便于在多芯片系统中进行扩展和管理。

应用

该芯片广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的系统中,例如:网络设备中的缓存存储、工业控制系统中的数据缓冲、通信模块中的临时数据存储、嵌入式系统的程序和数据存储、消费类电子产品中的临时数据缓存等。其在工业级温度范围内的稳定表现,也使其适用于户外设备、车载电子系统以及自动化控制设备。由于其异步接口的灵活性,CXK581001M-70L 也常用于与多种微控制器(如ARM、MIPS、PowerPC等架构)的接口扩展,为系统提供额外的高速RAM资源。

替代型号

CY62148EVLL-70PINE、IS61LV10248ALLB5-70BLLI、IDT71V016SA70B、AS7C31026A-70BCTR、CY62148E

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