容量：16K位
　　组织结构：16K x 1位
　　访问时间：55ns（最大）
　　工作电压：+5V单电源供电
　　封装类型：28引脚塑料双列直插式封装（PDIP）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　输出类型：三态输出
　　输入/输出兼容性：TTL电平兼容
　　功耗：典型工作电流约120mA，待机电流小于10mA

CXK5416P-55L 是一款高性能的静态随机存取存储器芯片，具备快速的访问时间和稳定的运行性能。该芯片的访问时间为55纳秒，能够在高速应用中提供可靠的数据读写能力。其16K x 1位的存储结构适合用于需要高速缓存或数据缓冲的场景。芯片采用+5V单电源供电设计，与TTL电平兼容，便于与多种逻辑电路和微处理器接口连接。
　　此外，该SRAM芯片采用三态输出结构，使得多个存储器设备可以共享同一数据总线，提高了系统的集成度和灵活性。其28引脚PDIP封装形式适用于各种标准电路板设计，并具备良好的散热性能和机械稳定性。
　　在工作温度方面，CXK5416P-55L支持-40°C至+85°C的工业级温度范围，适用于各种严苛的工业和嵌入式环境。芯片还具备低功耗待机模式，可在不使用时降低功耗，延长系统续航时间。这些特性使得CXK5416P-55L在工业控制、通信设备、测试仪器等领域具有广泛的应用价值。

CXK5416P-55L SRAM芯片广泛应用于需要高速存储器支持的电子系统中。典型应用包括工业控制系统中的高速缓存、数据缓冲器、实时数据存储等。它也适用于老式计算机系统、嵌入式微控制器系统以及需要与TTL电平兼容的逻辑电路接口。此外，该芯片还可用于测试与测量设备、通信模块和自动化控制装置，为这些系统提供稳定可靠的高速存储支持。

AS6C1008-55PCN