时间：2025/8/18 3:51:06
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CXG4112GG 是一款由 Cissoid 公司生产的高温、高压和高可靠性应用的功率晶体管。这款晶体管采用了碳化硅（SiC）材料，使其能够在极端环境下运行，例如高温度、高辐射和高电压条件下。CXG4112GG 主要用于航空航天、电动汽车、可再生能源系统和其他需要高可靠性电力电子设备的领域。
类型：碳化硅（SiC）MOSFET
最大漏源电压（VDS）：1200V
最大漏极电流（ID）：12A
导通电阻（RDS(on)）：250mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +200°C
封装类型：表面贴装（SMD）
栅极电压范围：-10V 至 +20V
CXG4112GG 具有优异的高温性能，能够在高达 200°C 的环境中稳定工作，这使得它在高温应用中无需复杂的散热系统即可运行。其碳化硅材料提供了更高的热导率和更低的导通损耗，从而提高了整体系统的效率。
该器件还具备优异的抗辐射能力，使其在航空航天和卫星应用中表现出色。此外，CXG4112GG 的封装设计能够承受极端的机械应力和振动，确保在恶劣环境下的可靠性。
由于其高耐压能力，CXG4112GG 可以在高电压系统中使用，减少外围电路的复杂性。它的快速开关特性也有助于提高系统的动态响应，适用于高频开关应用。
这款晶体管的栅极驱动电压范围较宽，允许在不同的驱动条件下灵活使用，同时确保器件的稳定性和耐用性。
CXG4112GG 主要应用于航空航天、电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）、可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力涡轮机）、工业电源和电力电子系统。由于其高可靠性和高温耐受能力，它特别适合在极端环境中工作的系统中使用。
Cree/Wolfspeed C3M0120090J, ROHM SCT3160KL, Infineon IMZ120R030M1H
