CXG1230EQ-T2 时间：2025/8/18 19:03:46 阅读：20

CXG1230EQ-T2 是一款由Cissoid公司设计和制造的高集成度、高可靠性、耐高温的栅极驱动器芯片，专为SiC（碳化硅）功率晶体管的驱动应用而设计。该芯片采用了Cissoid公司先进的高温度集成电路技术，能够在极端温度条件下（如-55°C至+175°C）稳定工作，适用于工业电源、电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）、可再生能源系统以及航空电子等高温、高可靠性要求的场合。

参数

工作温度范围：-55°C至+175°C
　　电源电压范围：12V至30V
　　输出驱动电流：+3A / -5A（典型值）
　　传播延迟：小于60ns
　　上升/下降时间：小于30ns
　　输入信号阈值：兼容3.3V、5V逻辑电平
　　输出电压摆幅：高达30V
　　封装形式：TQFP-48

特性

CXG1230EQ-T2 是一款专为碳化硅（SiC）MOSFET设计的单通道栅极驱动器，具有高速、高抗干扰能力和宽工作温度范围的特点。该芯片内部集成了死区时间控制、欠压锁定（UVLO）、过流保护（OCP）和短路保护等安全机制，确保在复杂电磁环境和高开关频率下的稳定运行。其输出驱动能力强大，能够快速驱动高栅极电荷的SiC器件，从而降低开关损耗并提高系统效率。
　　CXG1230EQ-T2 采用了Cissoid公司独有的高温半导体工艺，使其在极端温度下依然保持出色的电气性能和可靠性。此外，该芯片具有出色的抗电磁干扰（EMI）能力，适用于如电动汽车逆变器、充电系统、工业电机驱动和可再生能源转换系统等高要求的应用场景。

应用

CXG1230EQ-T2 主要用于需要高可靠性和高温稳定性的功率电子系统中。典型应用包括电动汽车（EV/HEV）的主逆变器和车载充电器（OBC）、工业变频器与伺服驱动器、太阳能逆变器、风力发电变流器以及航空和国防领域的高温电子系统。由于其出色的高温性能和对SiC器件的优化驱动能力，该芯片也适用于未来高功率密度和高效率的电力电子设计。